1) silicon carbide rectifier
碳化硅整流器
3) selenium and silicon rectifier
硒硅整流器
4) Silicon Control Rectifier
硅控整流器
5) SiC device
碳化硅器件
1.
Based on a SiC devicemodel, the development process of C code modeling is introduced in detail.
以碳化硅器件模型的开发为例,详细介绍了C代码建模方法的实现过程。
6) silicon controlled rectifier
可控硅整流器
1.
The difference in terms of power supply energy consume, power factor, conversion efficiency between high frequency switching power supply (IGBT rectifier) and silicon controlled rectifier (SCR) were analyzed.
介绍了电镀电源的原理和发展历史,从电源能耗、功率因数、转换效率等方面分析了高频开关电源与可控硅整流器的区别,从而得出高频开关电源比可控硅整流器节能、环保,是电镀行业实现清洁生产的首选电源。
补充资料：碳化硅晶须补强碳化硅陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条