1) isothermal pressure drop
等温压降
2) non-isothermal pressure drop
非等温压降
4) isokatabase
等降压线
5) bias-cooling
偏压降温
1.
The memory effect is due to the deep levels induced by the QD layer,and rather than the charging and discharging of intrinsic energy levels in QDs,which is demonstrated by the hysteresis,real-time and bias-cooling C-V measurements.
在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的。
6) Decompression and cooling
减压降温
补充资料：等压质量变化测定
分子式：
CAS号：
性质：物质经受程控温度时，测量其在挥发产物分压恒定时的平衡质量与温度关系的一种技术。记录得到的等压质量变化曲线，质量标在向下表示减少的纵坐标上，温度标在从左向右表示增加的横坐标上。
CAS号：
性质：物质经受程控温度时，测量其在挥发产物分压恒定时的平衡质量与温度关系的一种技术。记录得到的等压质量变化曲线，质量标在向下表示减少的纵坐标上，温度标在从左向右表示增加的横坐标上。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条