电荷控制参数,charge control parameter,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) charge control parameter 点击朗读

电荷控制参数

2) ionic charge parameter 点击朗读

电荷参数

[10]is derived theoretically from this potential function and Schrodinger equation,According tothe data of atomic spectra,improvements have been made on screening loss,penetration andionic charge parameters suggested in Ref.

根据原子光谱实验数据对文献［１０］提出的失屏参数、钻穿参数和电荷参数进行了改进。

3) optical and electrical control parameters 点击朗读

光电控制参数

This paper introduced the method for determining the optical and electrical control parameters of duplicating machine model 220Z by the orthogonal experiment.

在开发汉光220Z复印机的过程中,采用正交试验法,通过反复的试验,确定复印光电控制参数,从而降低新产品开发成本,缩短研制时间,提高设计效率。

4) charge control 点击朗读

电荷控制

Hysteresis and creep can be reduced greatly based on charge control. 点击朗读

采用电荷控制可以减小位移迟滞和蠕变,该文从电流源电荷反馈和电压源电荷反馈两个角度,总结国内外各种电荷控制方案,进而提出应该优先选用电流源驱动压电陶瓷,并根据应用场合不同选择相应电荷控制方法的结论。

In this paper, the small-signal model and properties of single-stage flyback P FC based on charge control is described.

描述了基于电荷控制的反激单级功率因数校正变换器的特性及其小信号模型。

In this paper, charge control is applied to a flyback converter for the purpose of power factor correction(PFC).

介绍了电荷控制方式的CCM反激PFC电路的工作原理,研究了它的一些基本特性,并给出了电路设计步骤,试制了一台200W样机。

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5) Control parameters 点击朗读

控制参数

Effect of control parameters on particle size analysis of silt; 点击朗读

控制参数对粉土粒度测量的影响

Simulation and Research on the Control Parameters of Genetic Algorithm; 点击朗读

遗传算法控制参数选择的仿真研究

Experiments showed that the transformations of pollutants correlated well to control parameters(i.

试验表明,污染物与控制参数(pH、ORP、DO)具有良好的相关性。

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6) parameters control 点击朗读

参数控制

Base on the comprehension and application of the active Code for seismic design of buildings (GB50011-2001) and Code for design of masonry structures (GB50003-2001) , together with the design experience, the seismic design methods and parameters control of frame supported masonry structure are discussed and concluded for the sake of feeding the readers.

结合对现行《建筑抗震设计规范》(GB50011-2001)和《砌体结构设计规范》(GB50003-2001) 的理解与运用,融合设计经验,对底部框架-抗震墙砌体房屋的抗震设计方法和参数控制,进行了探讨和归纳,供同行参考。

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补充资料：半导体的导电与电荷输运

半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。

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参考词条

双参数控制

电控参数电荷控制剂电荷控制法变参数控制控制器参数参数化控制

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