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1)  acceptor ionization energy
受主电离能
2)  MgTi acceptor ionization
受主电离
3)  thermal ionization energy
受主热离化能
4)  donor ionization energy
施主电离能
5)  acceptor ion
受主离子
6)  acceptor level
受主能级
1.
Two acceptor levels of vanadium at EC-0.
掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0。
补充资料:受主
分子式:
CAS号:

性质:在半导体中,若杂质或缺陷能级上没有电子占据,杂质原子或缺陷是电中性的,这种杂质或缺陷叫做受主,其能级叫做受主能级。价带中的电子如获得一定能量,可以跳到受主能级上,同时价带中出现一个空穴。这一过程也可以理解为:束缚在受主能给上的空穴获得一定能量后进入价带,成为自由空穴,这一能量叫做空穴的电主取胜。电离能小的受主能级是浅受主能级,电离能大的是深受主能级。在能级图上空穴能量是向下增加的,受主能级在价带顶上方。硼、铝、铟、镓是锗、硅中的浅受主能级杂质。硼、铝、铟、镓也称为锗、硅中的P型杂质。深能级受主可能成为电子陷阱或复合中心。

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