1) host diner energy
施主-受主能级
2) energy level of donor and accepter
施主受主能级
4) acceptor level
受主能级
1.
Two acceptor levels of vanadium at EC-0.
掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0。
5) donor at shallow level
浅能级施主
6) vanadium acceptor level
钒受主能级
补充资料：施主－受主对发光
固体中形成近邻或较近邻的施主-受主对,电子从施主到受主的跃迁所发出的光。施主及受主的浓度要足够高才能形成对。
施主-受主对(以下简称D-A对)的电子跃迁能量E(r)为
式中Eg在带隙宽度，ED和 EA分别表示孤立的施主和受主（对于相应带边）的电离能。q2/εr是在介电常数为ε的介质中的库仑能，其中q 为电子电量，r表示施主和受主之间的距离。
因为杂质总是占据点阵中的某些分立位置的，所以式中的r不是连续变数，于是D-A对发光表现为一系列的分立谱线（带）。D-A对相距很远时，库仑项非常小,与此相应的光子能量很小。D-A对的r大于有效玻尔半径时，跃迁需借助于隧穿过程，因此r愈大，跃迁几率愈小,其发光强度也愈小；然而,当r很小时,可能存在的D-A对的数目亦相应减少；因此发光强度会在某个r 值达到极大。一般说,当Г >40┱时，D-A对的发射谱线有严重的交叠而形成宽谱带，只有当r在10～40┱之间才能分辨出分立的精细结构。
对于化合物半导体,必须区分两类D-A对:第一类D-A对的施主和受主都占据化合物中相同的子阵点,如GaP中的S-Si、Te-Si和 Se-Si对，它们都在P位上，Si是受主。第二类 D-A对中施主和受主分别占据不同的子阵点，如GaP中的S-Zn、Te-Zn、S-Cd、Se-Cd和Te-Cd对，其中Ⅵ族施主在P位，Ⅱ族受主在Ga位上。上述两类D-A对中, r取分立数值的规律不同，其发光谱线的位置分布也不同。
参考书目
F.Williams,Physica Status Solidi,Vol.25,p.493,1968.
J. I. Pankove, Optical Processes in Semicon-duclors, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J.,1971.
施主-受主对(以下简称D-A对)的电子跃迁能量E(r)为
式中Eg在带隙宽度，ED和 EA分别表示孤立的施主和受主（对于相应带边）的电离能。q2/εr是在介电常数为ε的介质中的库仑能，其中q 为电子电量，r表示施主和受主之间的距离。
因为杂质总是占据点阵中的某些分立位置的，所以式中的r不是连续变数，于是D-A对发光表现为一系列的分立谱线（带）。D-A对相距很远时，库仑项非常小,与此相应的光子能量很小。D-A对的r大于有效玻尔半径时，跃迁需借助于隧穿过程，因此r愈大，跃迁几率愈小,其发光强度也愈小；然而,当r很小时,可能存在的D-A对的数目亦相应减少；因此发光强度会在某个r 值达到极大。一般说,当Г >40┱时，D-A对的发射谱线有严重的交叠而形成宽谱带，只有当r在10～40┱之间才能分辨出分立的精细结构。
对于化合物半导体,必须区分两类D-A对:第一类D-A对的施主和受主都占据化合物中相同的子阵点,如GaP中的S-Si、Te-Si和 Se-Si对，它们都在P位上，Si是受主。第二类 D-A对中施主和受主分别占据不同的子阵点，如GaP中的S-Zn、Te-Zn、S-Cd、Se-Cd和Te-Cd对，其中Ⅵ族施主在P位，Ⅱ族受主在Ga位上。上述两类D-A对中, r取分立数值的规律不同，其发光谱线的位置分布也不同。
参考书目
F.Williams,Physica Status Solidi,Vol.25,p.493,1968.
J. I. Pankove, Optical Processes in Semicon-duclors, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J.,1971.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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