1) silicon-on-insulator (SOI)
绝缘体上硅芯片
2) SOI wafers
绝缘体上硅晶片
3) insulator,silicon-on- (SOI)
硅片上绝缘体
4) SOI Silicon-on-insulator
绝缘体硅片
5) silicon on insulator
绝缘体上硅
1.
According to the results of finite-element analysis with ANSYS, a piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator (SOI) was designed.
根据有限元工具ANSYS的分析结果,设计了一种半导体压阻式压力传感器——绝缘体上硅(SOI)压力传感器,并完成了制作。
2.
With the help of finite element analysis tool, ANSYS, a high-temperature piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator was designed.
采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。
6) SOI
绝缘体上硅
1.
Study on SOI Dynamic Threshold nMOSFETs;
绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究(英文)
2.
The SRAM cell is based on 32nm silicon-on-insulator(SOI)technology node.
该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管。
3.
Silicon ion implantations was used to improve SIMOX SOI substrate.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。
补充资料：绝缘体上外延硅
绝缘体上外延硅
silicon on insulator
绝缘体上外延硅Sixieon。n insulator在绝缘衬底上制备半导体薄膜的生长技术。简称501。早期发展的绝缘衬底是蓝宝石。由于蓝宝石上外延硅存在衬底的自掺杂、载流子迁移率低、衬底和外延层界面应力大和衬底价格昂贵等缺点，得不到广泛应用。 501是在硅单晶衬底上形成5102绝缘层作衬底，并在绝缘层上进行硅外延增加厚度，用腐蚀法在该衬底上形成隔离硅岛后加工成电路。 较典型的501技术包括以下3种。①区熔再结晶技术。1979年由美国林肯实验室开拓。可采用激光或石墨加热器，近年又发展电子束、卤素钨灯加热等。这项技术经历图形外延、侧向籽晶外延和区熔再结晶。②氧离子注入(S IMOX)。以离一子束向硅单晶片注入高剂量氧离子，退火后形成埋层5102，再进行硅外延。用于超大规模集成电路SIMOX的最佳条件是:加热至500℃以上，以150一200 keV能量进行高浓度氧离子注入，注入浓度1一 2x101犯m一3，注入后在大于1250℃高温下退火。衬底和器件质量取决于注入能量、束流和温度等。③隔离硅外延。近年由林肯实验室发展的。它克服了材料缺陷如突出物、圆片翘曲和表面粗糙，提高了501材料质量。 用501结构材料加工大规模集成电路可降低互补金属一氧化物一半导体(CMOS)器件衬底的寄生电容，提高开关速度，增强抗宇宙射线能力和增加集成度。已应用于CMOS随机存贮器、运算器等。但501技术至今尚未进入商品化。今后除寻求发展新技术外，必须努力提高原有各种技术的实用性，如更好地控制硅膜中的缺陷和杂质，提高工艺的可靠性，进一步降低成本等，使之早日实现商品化。 (莫金现)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条