1) SiCOI
绝缘体上碳化硅
2) silicon on insulator
绝缘体上硅
1.
According to the results of finite-element analysis with ANSYS, a piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator (SOI) was designed.
根据有限元工具ANSYS的分析结果,设计了一种半导体压阻式压力传感器——绝缘体上硅(SOI)压力传感器,并完成了制作。
2.
With the help of finite element analysis tool, ANSYS, a high-temperature piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator was designed.
采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。
3) SOI
绝缘体上硅
1.
Study on SOI Dynamic Threshold nMOSFETs;
绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究(英文)
2.
The SRAM cell is based on 32nm silicon-on-insulator(SOI)technology node.
该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管。
3.
Silicon ion implantations was used to improve SIMOX SOI substrate.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。
4) Silicon-on-insulator
绝缘体上硅
1.
The fabrication of Bragg gratings on silicon-on-insulator (SOI) rib waveguides using electron-beam lithography is presented.
报道了一种用电子束曝光的方法在绝缘体上硅的脊状光波导上制做布拉格光栅的技术。
2.
The combiner is fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) substrate.
在一个绝缘体上硅的基板上实现了该器件。
3.
Silicon-on-insulator(SOI) device has the advantages of small junction capacitance, good resisting-radiation property, superior subthreshold characteristics, eliminating the latchup effects, suitable to low-voltage low-power operation, etc.
绝缘体上硅器件(SOI)具有结电容小、抗辐射性能好、优良的亚阈区特性、消除了闩锁效应、适于低压低功耗工作等优点，而被称为“二十一世纪的硅集成电路技术”。
5) semi-insulating silicon carbide
半绝缘碳化硅
1.
Semi-insulating silicon carbide (SiC) can be used for many applications related to high power device, deep submicron device, and microwave power device technology.
半绝缘碳化硅(SiC)材料对于SiC器件的制作和性能具有非常重要的意义,特别是对功率器件、深亚微米器件和微波功率器件更是如此。
6) SOI
绝缘体上的硅
1.
The partially depleted SOI (PDSOI) NMOSFET and CMOSFET\'s latch characteristics are studied in this paper.
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性。
补充资料：碳化硅晶须补强碳化硅陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用，获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条