1) grain boundary porosity
晶界气孔
2) crystal-vapor interface
晶体-蒸气界面<冶>
3) valve hole critical gas-velocity
临界阀孔气速
4) critical fraction of open area for distributing gases
布气临界开孔率
5) grain boundary
晶界
1.
Dynamic process simulation of solute grain boundary segregation;
溶质原子晶界偏聚动力学过程的数值模拟
2.
Methodological probe into grain boundary etching of molybdenum disilicide based materials;
二硅化钼基材料的晶界腐蚀方法探讨
6) crystal boundary
晶界
1.
The chemical composition at the crystal boundary of transparent ceramics was observed and the concentration distribution of rare earth oxide in stable state was measured by electron microprobe analysis.
以ＥＰＭＡ法观测透明陶瓷晶界处的化学组成及稀土氧化物的定态浓度分布，用非平衡态热力学理论分析晶界偏析行为。
2.
Al_2O_3distributed along crystal boundary,silicate impurities,separated carbon compound and σ phase together brought about crystal boundary weakening and resulted in high sensitivity for interdendritic corrosion.
沿晶界分布的A l2O3和硅酸盐杂质、析出碳化物、σ相,它们共同构成了晶界弱化的因素,致使晶间腐蚀的敏感性加大。
3.
The application of electroscope and pulse polishing technology enables the field ion microscope atomprobe (FIM AP) on the sample to locate itself successfully the crystal boundary, moreover, makes the dialing subatomprobe in the range to be efficiently analyzed.
应用电子显微镜和脉冲抛光技术 ,成功控制了晶界在场离子显微镜—原子探针试样中的位置 ,使其处于场离子显微镜—原子探针的有效分析范围内。
补充资料：晶体生长界面处的溶质边界层
晶体生长界面处的溶质边界层
solute boundary layer at the crystal growth interface
晶体生长界面处的溶质边界层solute boundarylayer at the er邓tal盯owth interfaee生长界面前沿流体中溶质分布不均匀的一薄流体层。它与晶体生长过程的溶质分凝和流体中的溶质传输有关。 晶体在掺有溶质的流体相中生长，若溶质的平衡分凝系数k。<1(图a)，于是在生长过程中，溶质被不断地排出，若排出的溶质不能及时传输到大块流体中，使溶质均匀分布，则在生长界面附近的熔体中形成溶质富集、浓度变化的溶质边界层。对于k。>l的溶质，则如图b，它将形成溶质贫化的溶质边界层。图中S表示晶体，L表示溶体，边界在0点，炙为边界层厚度，c为溶质浓度。浴质边界层 流体中溶质传输存在两种机制:①由溶质浓度梯度引起的扩散传输;②由温度梯度引起的自然对流及晶体或柑涡旋转产生搅拌作用所引起的强迫对流的对流传输。精确求解运动流体对浓度场的影响是困难的。引入边界层近似，可以把问题简化。假使在溶质浓度边界层氏内，扩散是溶质传输的唯一机制，在边界层之外，溶质传输机制是对流，由于对流的搅拌作用，%26以外的大块流体中溶质分布是均匀的。根据以上边界层近似，对流传输对溶质浓度场的影响，归结为边界层宽度灸的变化。 利用边界层近似，通过数值计算满足边值条件的溶质传输方程，得到昆的表达式 炙=1 .6。‘，6Dll3田一22式中p为溶液的运动粘滞系数;刀为溶质扩散系数，是溶液系统的物质常数;。是晶体旋转角速度，它愈大，强迫对流的搅拌作用就愈强，溶质边界层厚度就愈薄。(洪静芬)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条