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1)  grain and grain boundary
晶粒和晶界
1.
The formula relationship between electric properties for grain and grain boundary of ceramics and macrostructure fitting result from impedance spectroscopy was drawn.
采用砖形结构模型(brick wall model)分析了PTCR陶瓷的电显微结构,通过公式推导得到复阻抗图谱的宏观拟合结果与陶瓷单个晶粒和晶界电性能的对应关系。
2)  bulk conductivity and grain boundary conductivity
晶粒电导和晶界电导
3)  grain boundary
晶界;晶粒间界;晶粒边界
4)  grain boundary
晶粒边界
1.
Investigation of trapping states in the grain boundaryof low breakdown voltage ZnO ceramics varistors;
低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究(英文)
2.
The activating energy is associated with adsorption and reaction of O2 at the grain boundary.
这些激活能与晶界氧的吸附及氧与晶粒边界的作用有关,在晶界吸附的O′和O〞作为受主态,有利于形成肖特基势垒。
3.
The effects of dopants on electrical properties of ZnO grain boundary are analyzed.
探讨了热处理气氛对 Zn O晶粒边界电性能的作用机理。
5)  grain boundary
晶粒间界
6)  crystal grain boundary
晶粒界面
补充资料:晶粒间界
      多晶体中不同取向晶粒间的界面,简称晶界。晶界只有几个原子的厚度,早在19世纪末为冶金学家所预言,自电子显微术出现后,得到实验的证实。虽然晶界极薄,但它对晶体的许多性质,尤其是力学性质存在重大的影响。例如,晶界对位错、滑移的阻滞作用是加工硬化的重要原因;晶界滑移是高温蠕变的重要方式;而晶界断裂则是晶体脆性的主要特征。此外,晶界既是溶质原子易于偏析的场所,也是它们易于扩散的通道,因而对晶体中物质的输运和重新分布也有重要作用。
  
  一个世纪以前,人们即企求认识晶界的本质,但直到1940年J.M.伯格斯及W.L.布喇格提出晶界的位错模型后,才为认识晶界结构打开了大门。小角度晶界由特征组态的位错行列或网络构成的事实早已众所周知,关于大角度晶界的结构近年来也已出现了一些较为切合实际的模型。重合点阵模型指出:两个具有特殊取向差的晶粒存在高密度的重合阵点,当界面位于重合点阵的密排面内时,可以构成低能量的重合晶界;当取向差或界面取向偏离重合晶界时,会在重合晶界上产生特殊组态的晶界位错或台阶。结构单元模型提出,界面处原子应调整位置,形成以重合点阵为周期而交互作用能最小的原子集团──结构单元,从而改进了重合点阵模型。这些模型均已取得一定成功,而近年来利用高分辨率电子显微镜对晶界原子图像的直接观察也取得了有意义的结果。
  
  

参考书目
   S.Amelinckx and W.Dekeyser,The Structure andProperties of Grain Boundaries, F.Seitz and D.Turnball,ed.,Solid State Physics,Academic Press, New York, 1959.
   A.G.Chadmick and A.D.Smith,Grain Boundary Structure and Properties, Academic Press,New York,1976.
  

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