1) charged dislocation
带电位错
2) Dislocation charge
位错电荷
3) displacive ferroelectrics
错位铁电体
4) Flatband potential
平带电位
1.
Many factors can affect photoelectrocatalysis hydrogen production efficiency, and much attention is paid to the effect of semiconductor flatband potential and the performance of TiO.
概述TiO2半导体光电催化分解水制氢基本原理,着重介绍平带电位的影响和TiO2薄膜的性能,并概括了施加外加偏置电压的方法;概述了常见的半导体修饰方法的基本原理。
5) flat band potential
平带电位
6) Shift with electricity
带电移位
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
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参考词条