1) default reaction
缺省反应
2) defect reaction
缺陷反应
1.
The stability and defect reactions of neutral and charged H interstitial (H i) and H vacancy (H v) in KH 2PO 4(KDP) have been studied by an ab initio method.
这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机
2.
The analysis of surface effect is based on defect reaction and diffusion theory, the study for surface effect will have good guidance to the improv.
利用缺陷反应和扩散原理对表面层效应进行了初步分析,指出表面层效应的研究对改善和调节材料的电学性能具有重要的指导意义。
3) hypoxia response
缺氧反应
1.
Methods Rats were treated with Cobalt Chloride,an agent that stimulates the expression of a set of hypoxia response genes,for 10～12 days.
方法 氧化钴是一种能刺激一组缺氧反应基因的试剂 ,用氧化钴治疗大鼠 10～ 12天后 ,观察视网膜糖载体蛋白glut 1的变化。
6) Adaptive default rule
自适应缺省规则
补充资料：点缺陷(见晶体缺陷)
点缺陷(见晶体缺陷)
point defect
点缺陷point defeet见晶体缺陷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条