1) nonradiative carrier recombination
点缺陷反应
2) defect reaction
缺陷反应
1.
The stability and defect reactions of neutral and charged H interstitial (H i) and H vacancy (H v) in KH 2PO 4(KDP) have been studied by an ab initio method.
这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机
2.
The analysis of surface effect is based on defect reaction and diffusion theory, the study for surface effect will have good guidance to the improv.
利用缺陷反应和扩散原理对表面层效应进行了初步分析,指出表面层效应的研究对改善和调节材料的电学性能具有重要的指导意义。
3) Defect of reaction mechanism
反应机理缺陷
4) Defect reaction equation
缺陷反应方程
5) response inhibition deficit
反应抑制缺陷
1.
Using the flanker task of different conflict levels combined with endogenous and exogenous cues,this research examined whether there were response inhibition deficits and modulatory effects of spatial attention on the flanker task of different conflict levels in ODC patients.
结果表明:强迫症患者不同冲突水平的侧抑制任务均无明显反应抑制缺陷,可能与其注意威胁性信息等有关;集中注意在知觉冲突水平上对强迫症患者和正常人的反应冲突进行调节且无显著性差异,可能与强迫症患者关注内容非空间定向有关。
6) objection
[英][əb'dʒekʃn] [美][əb'dʒɛkʃən]
缺陷，缺点
补充资料：点缺陷
指对晶体的扰动（除相关的弹性应变外）在任何方向上仅波及几个原子间距的结构缺陷。最简单的点缺陷为点阵空位和填隙原子，前者是空缺一个原子的正常阵点，称为肖脱基缺陷；后者是占据点阵间隙位置的原子。一对相距较近而处于亚平衡状态的空位和填隙原子称为夫伦克耳缺陷。在一定温度T 时,形成能量为Ui的点缺陷存在一定的热力学平衡浓度ci∝exp(-Ui/kT)。例如Au在600℃时,106个原子里有8个,当温度升至1000℃时,104个原子中就有5个。此外,通过淬火、辐照、掺杂、范性形变和改变化学配比等多种方式也能引入大量非平衡点缺陷。晶体中的外来原子，即杂质或溶质原子，是称作化学缺陷的另一类点缺陷，它们可以以代位或填隙方式存在。
点缺陷的概念最先是为解释离子晶体的导电性而提出来的。半个世纪来，点缺陷的理论和实验研究已在各种键合类型的晶体中广泛展开。点缺陷是晶体中物质输运过程的主要媒介，是一系列弛豫现象的物理根源，也是容纳晶体对化学配比偏离的重要方式。点缺陷还可以交互作用形成多种复合点缺陷、点缺陷群，构成有序化结构及各种广延缺陷，因而对于晶体结构敏感的许多性质有着至关重要的影响。
参考书目
J. H. Crawford and L. M. Slifkin, Point Defects in Solids, Vol.1,2,Plenum Press, New York,London, 1972,1975.
点缺陷的概念最先是为解释离子晶体的导电性而提出来的。半个世纪来，点缺陷的理论和实验研究已在各种键合类型的晶体中广泛展开。点缺陷是晶体中物质输运过程的主要媒介，是一系列弛豫现象的物理根源，也是容纳晶体对化学配比偏离的重要方式。点缺陷还可以交互作用形成多种复合点缺陷、点缺陷群，构成有序化结构及各种广延缺陷，因而对于晶体结构敏感的许多性质有着至关重要的影响。
参考书目
J. H. Crawford and L. M. Slifkin, Point Defects in Solids, Vol.1,2,Plenum Press, New York,London, 1972,1975.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条