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1)  semiconductor superlattice
半导体超点阵
2)  semiconductor array
半导体阵列
3)  superconductor/semiconductor/superconductive junction
超导体/半导体/超导体结
4)  amd:advanced micro device
超微半导体
5)  ultra high-power laser diode arrays
超大功率二维半导体激光列阵
6)  laser diode array
半导体激光列阵
1.
High output power was achieved by using the coupling technique of a laser diode array(LDA) and a micro-lensed fiber.
根据808 nm大功率半导体激光列阵(LDA)的远场光场的分布特点,利用多模光纤柱透镜和光束转换装置对808 nm半导体激光列阵的发散角进行压缩整形,通过聚焦准直透镜将激光束耦合进入芯径为400μm的光纤,实现了30W的功率输出,其中最大耦合效率大于80%,光纤的数值孔径(NA)为0。
2.
The principle of this technique is as follows: first linearly arranged beams are changed into circularly arranged beams by a fiber array so that the beam symmetry of a laser diode array can be greatly improved;then the circular laser beam from the fiber array is coupled into a single thin fiber by a micro-lens to reduce the beam diameter and improve its brightness.
首先借助光纤列阵实现光束由线性排列到圆形排列的转换,从而有效提高半导体激光列阵输出光束的对称性;然后通过微透镜将光纤列阵输出的圆对称光束耦合进入一根较细的光纤,以进一步压缩光斑直径并提高光束亮度。
3.
High-power laser diode arrays are difficult to use directly in such fields as military, industry, and medicine because of their extremely asymmetric divergent beams (θ_x≈5°~10° and θ_y≈20°~35° ), i.
半导体激光列阵的输出光束有较大的发散角和较强的不对称性,极大地限制了其在各领域中的应用。
补充资料:超导体的能隙
      超导体最低激发态与基态之间存在一定的能量间隙。拆散一个电子对(库珀对)产生两个单电子至少需要能隙宽度2△的能量。热运动可以拆散电子对产生单电子。能隙的存在使得在温度T远低于临界温度T0时,超导体中单电子(正常电子)的数目按 exp(-2△/kT)变化。这就导致超导体的电子比热容和热导率按温度指数规律变化。当电磁波(微波或远红外线)的频率足够高 (hv≥2△)时,同样可以激发出单电子。此时超导体会强烈地吸收电磁波。在以超导体为一个电极的隧道结中,当结电压足够高(V≥△/e)时,大量的电子对被拆散,形成单电子参与隧道过程,使隧道电流在V=△/e处突然上升,若隧道结的两个电极都是超导体,能隙为△1、△2,则在V=(△1+△2)/e处突然上升。这些现象都证明能隙的存在,并可用来测定能隙值2△。
  
  能隙的存在是超导微观理论的基础之一。BCS理论从量子力学基本原理出发推导出能隙的存在,并预言了它与温度以及△(0)和临界温度的关系〔△(0)为绝对零度下的能隙〕。能隙与温度的关系在许多超导体上得到证实。对于Sn、In、Al等超导体, 2△(0)/kT0的测量值与BCS理论预言的值3.53一致。但是,对于Pb和Hg,实验值分别为4.3和4.6,与理论值差异相当大。强耦合超导理论能够很好地解释这些差异(见强耦合超导体)。
  
  能隙的发现为BCS理论的建立奠定了基础。但是,能隙并不是超导性存在的必要条件。某些杂质可以降低超导体的临界温度,但它使能隙减小得更快。高于某一杂质浓度时,能隙已降低为零,但T0却仍是有限值。这就出现了无能隙超导体。磁场也可以造成无能隙的超导体。
  

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