1) reciprocal linear dispersion
逆线性色散
2) nonlinear dispersion
非线性色散
1.
The Influence of optical fiber nonlinear dispersion on soliton-like propagation properties;
光纤非线性色散对类明孤子传输特性的影响
2.
By use of the modified nonlinear Schrodinger equation, we have investigated numerically the effect of nonlinear dispersion, i.
本文采用包含延迟非线性响应时间（即等效的非线性色散）的非线性薛定谔方程，利用数值模拟从理论上系统地分析了非线性色散对孤子在有机高聚物中的形成及传输特性的影响，结果表明当有机高聚物具有较大的非线性色散时，与在一般无机材料光纤等具有较弱非线性色散下形成飞秒孤子的峰值功率条件相比较，必须较大地提高峰值功率才能实现非线性色散、群速度色散、自相位调制三者相互补偿下的孤子传输。
3) position linearity dispersion
位置线性色散
4) second-order nonlinear dispersion
二阶非线性色散
1.
The results show that the ultrashort pulse would be narrow in the normal dispersion if the parameter of second-order nonlinear dispersion was less than zero,and the effects of its was gradually changing with the propagation distance getting smaller and smaller,and the pulse would be width if the parameter of fake-quintic nonlinearity.
结果表明,在正常色散区,二阶非线性色散系数为负时使脉冲变窄,而且它对脉冲影响的程度是随着传输距离不断变化的,影响越来越小;赝五阶非线性系数为负时使脉冲展宽,但与二阶非线性色散项相比影响较小;而自陡系数取值的可正、可负出现了使脉冲在传输过程中其中心位置前后沿均可偏移的现象。
2.
The influence of dispersive magnetic permeability on propagation of untrashort pulses in metamaterials is mainly in that it leads to the appearance of the pseudo-χ (5) , self-steepening (SS) and second-order nonlinear dispersion terms in the propagation equations.
结果表明,在反常色散情形,赝五阶非线性在异向介质的负折射区中增大了调制频谱的范围及增益值,这与常规正折射介质中出现的现象正好相反;自陡峭效应在异向介质中有可能为负值,但无论正负,也无论在正折射区还是负折射区,它都抑制调制不稳定性的产生;二阶非线性色散效应在正、负折射区中分别促进和抑制调制不稳定性的产生。
3.
Further,we study the influence of the controllable self-steepening effect and the second-order nonlinear dispersion on the formation and propagation of dark solitons in metamaterials.
利用一种扩展的双曲函数级数方法求解超常介质中的传输方程,得到了各种不同情形下的暗孤子解,分析了可控自陡效应和二阶非线性色散效应对孤子形成和传输特性的影响。
5) dispersion-managed quasi-linear
色散控制准线性
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条