1) diffusing surface
扩散面
2) interface diffusion
界面扩散
1.
The antiferromagnetic coupling and interface diffusion in Fe/Si multilayers;
Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散
2.
In order to clarify the scale-dependent interface diffusion behavior,the resistivity (ρ) and the specular reflection coefficient (P) of Ni/Al nanomultilayers deposited by magnetron sputtering as a function of the periodic number (n),Ni/Al modulated ratio (R) and modulated period (L) have been characterized by Fuchs-Sondheimer (FS)-Mayadas-Shatzkes (MS) model.
采用FS-MS模型研究了Ni/Al纳米多层膜的薄膜电阻率ρ及镜面反射系数P随周期数n、Ni/Al调制比R和调制波长L的演变规律,从而表征了多层膜界面扩散行为的尺度依赖性。
3) surface diffusion
表面扩散
1.
Based on classical theory of surface diffusion and evaporation-condensation, a fi- nite element program is developed to simulate the unstable shape evolution of plate-like grains.
基于物质表面扩散和蒸发－凝结的经典理论，对板状晶粒不稳定外形的演变过程进行了有限元模拟结果表明，热蚀沟角θ＝０（无内晶界）时，板状晶粒将直接圆柱化；当内晶界存在时，存在一临界热蚀沟角θｍｉｎ；当θ＞θｍｉｎ时，板状晶粒沿晶界分离。
2.
BCF spiral growth mechanism for the surface diffusion model was analyzed using the kinetic data of the four faces.
选取了TGS晶体的 (0 0 1) ,(110 ) ,(0 10 )和 (10 0 )四个面为研究对象 ,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制 ,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比 ,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用 ;同时 ,在较高的相对过饱和度下 ,观察到了TGS自然结晶体的两种简单晶形 。
3.
The neck equation given by the coupling model is greater than that given by surface diffusion modal.
结果表明：在相同条件下，多机制综合作用颈长方程略高于表面扩散机制单独起作用的颈长方程；多机制综合作用的对心收缩小于只考虑晶界扩散和体积扩散的对心收缩。
4) dispersion area
扩散面积
1.
The algorithm study for the dispersion area of Gaussian plume model;
高斯烟羽模型扩散面积的算法研究
5) interfacial diffusion
界面扩散
1.
Nonlinear Kinetics Theory for Interfacial Diffusion in Nanometer-scale Multilayers;
纳米多层薄膜界面扩散的非线性动力学理论研究
2.
The plate model and tube model for analyzing the interfacial diffusion were proposed and the plate model was adopted to test the diffusion.
采用Ni-Fe-C填充材料对WC-30Co硬质合金与45钢的钨极氩弧(TIG)焊进行了研究,观察分析了焊接接头的组织形貌,提出了块体界面扩散的板片模型和管道模型,并采用板片模型对WC-30Co硬质合金与钢TIG焊焊接的WC-30Co/焊缝界面的各元素的扩散行为进行了分析。
3.
The fundamental of electromigration,the phenomenon of electromigration failure,the failure mechanism,the micro-effects and the dominant failure mechanism-interfacial diffusion are introduced.
论述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展,讨论了电迁移的基本原理、失效现象及其相关机制和微效应以及主导失效的机制——界面扩散等,同时探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,主要有铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理等方法,并指出了Cu互连电迁移可靠性研究有待解决的问题。
6) Double side diffusion
双面扩散
补充资料：界面扩散
界面扩散
boundary diffusion
界面扩散boundary diffusion扩散物质在多晶体样品中两晶粒间界面或者两个相间界面的迁移。在金属工艺中，界面扩散很重要，因为它对许多变化过程如扩散相变、晶粒长大等所产生的影响，常常比晶格扩散还要大。研究界面扩散也有助于了解它的结构。目前这方面的研究还不多，但从社在钨中的晶界扩散及银在银晶界中的自扩散的实验结果，已可以明显地看到它们的扩散率都比在晶格中的扩散率大，但比在表面上的小(见表面扩散)。测量银在铜的晶界中的扩散率，还发现它和相邻两晶粒的夹角0大小有关，当8=45’时，扩散最快。 与表面扩散相似，界面扩散也有各向异性的性质。根据晶界的位错模型，这种性质是可以预料的。显然，沿着位错管的扩散率不会和垂直方向的相同。银的晶界自扩散实验证明了这一点。并且当晶粒的夹角很小时，晶界扩散的各向异性现象更明显;夹角大到45。时，这性质仍然存在。银在铜晶界中的扩散也出现各向异性现象。(丘第荣)
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参考词条