1) anharmonicity
非谐振性
2) nonlinear resonance
非线性谐振
3) nonlinear harmonic oscillator
非线性谐振子
1.
A self-consistent method to calculate eigen-value of a nonlinear harmonic oscillator;
用自洽平均值法计算非线性谐振子本征值
2.
The analytic solution of kinematics equation for nonlinear harmonic oscillator are obtained by using the Adomian s decomposition method.
运用Adomina分解法求非线性谐振子运动方程的解析
4) resonant nonlinearity
谐振非线性效应
5) non-harmonic oscillator
非谐振子
1.
Generalized coherent states and exact solutions of parameter q non-harmonic oscillator;
非谐振子q变形下的广义相干态与精确解
2.
The ionic of univalent ionic crystals is dealt with as non-harmonic oscillator, revised value of perturbation term on energy level is obtained by using perturbation theory.
将单价离子晶体的离子进行非谐振子处理,利用微扰理论求解微扰项对能级的修正值,与经典结果比较,这种量子方法计算出的单价离子晶体结合能更为精确。
3.
A class non-harmonic oscillator whose perturbation term is lXHl= is discussed by using coherent state and normal product.
利用相干态和正规乘积对一类微扰项为XHl=的非谐振子进行了讨论,得到了H矩阵元的精确解和H对非谐振子能级的一级修正值,为处理非谐振子的微扰问题提供了一种新的方法。
6) anharmonic oscillator
非谐振子
1.
Gazeau-Klauder and Klauder-Perelomov coherert states for the anharmonic oscillator;
非谐振子Gazeau-Klauder与Klauder-Perelomov相干态
2.
The energy spectra and eigenstates of an anharmonic oscillator for the bound states is studied with the aid of pseudo_angular_momentum method.
采用赝角动量的方法研究了非谐振子定态薛定谔方程的严格解 。
3.
Nonclassical properties of the generalized Gazeau-Klauder coherent state are investigated for an anharmonic oscillator.
研究了非谐振子广义Gazeau-Klauder相干态的非经典特性,对Mandel Q参量的二阶相关函数的计算表明:GK相干态服从亚泊松统计分布且具有反聚束效应。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条