补充资料：硅半导体整流器

硅半导体整流器
silicon semi-conductor rectifier

gulbondaotl Zhengl‘uql硅半导体整流器(silleon semi一eonduetor ree-tifler)用硅整流管或(和)晶闸管等电力半导体器件组成的，将交流电能变换为直流电能的成套设备。一OOn-硅半导体整流器包括一个或多个由半导体器件构成的整流装置，与其配套的有整流变压器、控制和保护系统、滤波和功率因数补偿系统、冷却系统等辅助电器和器械。半导体器件是整流装置的核心器件，可根据需要按不同的电路组成各种整流装里供选择使用。成套的硅半导体整流器的电压、电流和功率范围极宽，可用作一切需要直流电能场所的电源。但作为电解工业用直流电源的整流器应有能供应低电压、大电流、大功率的性能(见电解直流电源)。在选用整流器时，除注意选择电参数外，还应注意调压、保护、冷却及设备本体的结构等问题。 电力半导体器件用于电力整流领域的电力半导体器件，通常指IA以上的普通整流管、普通晶闸管和硅功率晶体管.这三种电力半导体器件都有不少派生器件，适用于不同的领域，但多不适用于电解直流电源。 选择电力半导体器件的参数是关系整流装t质量、效率的重要因素，设计时应留有适当的安全裕度.一般应选择额定电流值为实际通过电流值的2.5~3倍(均指平均值)，正向或反向额定峰值阻断电压为实际承受的峰值电压值的2~3倍。 普通整流管以硅单晶为基本材料，利用PN结单向导电性能制成的整流器件，P为正极，N为负极，工作结沮为一40~150℃，正向峰值电压降为1.4~2.SV，体积小，效率高.整流管有自冷、风冷及水冷等冷却方式。普通整流管的电流达5o00A，反向峰值电压可达600oV。 普通晶闸管以硅单晶为基本材料制成的PNPN四层三端可控的开关器件，特点是只有在阳极为正电位、且控制门极触发后才能正向导通，反向阻断特性与普通整流管相同，能以毫安级的电流控制大功率晶闸管整流器的工作。普通晶闸管的电流达3600A，电压65。。V，适用于交流频率400H:以下的可控整流器. 硅功率晶体管耗散功率IW以上的晶体管为功率晶体管，基本结构与小功率晶体管相同。与晶闸管相比，它的开关时间短、具有自关断能力、饱和压降低、损耗小，但由于其功率仍较小，电压也不很高，尚不具备在电解电源装置中使用的条件。 电解用整旅诊常用的有以整流管组成的硅整流器和以晶闸管组成的晶闸管整流器两大类。电压为30一1200V，电流为0.6~63 kA，用数个整流器并联工作可满足300 kA级大型铝或食盐电解槽的需要。冷却方式以水冷为主。

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