1) magneto resistive magnetometer
磁阻效应磁强计
2) magnetoresistance magnetometer
磁阻磁强计
3) Hall effect magnetometer
霍耳效应磁强计
4) Hall effect magnetometer
霍尔效应磁强计
5) magnetoresistance effect
磁阻效应
1.
This paper introduces the principles of several magnetoresistance effects in details.
对几种磁阻效应作用机理和磁阻元件在传感器中的应用进行了综述,详细介绍了几种磁阻传感器的工作原理,对几类常用的磁阻传感器的性能进行了比较,并对磁阻传感器的发展进行了展望。
2.
It is shown that there exists a significant transmission difference for electrons through parallel and antiparallel magnetization configurations,which leads to a considerable magnetoresistance effect.
由于电子通过器件的平行和反平行磁化构型的透射几率显著不同,因而该器件拥有相当的磁阻效应。
3.
Using the divalence element Sr to replace the position of La in LaMnO 3 materials, La 1-x Sr x MnO 3 materials has been successfully prepared with excellent single phase and distorted perovskite structure and magnetoresistance effect.
利用二价金属元素Ｓｒ 对ＬａＭ ｎＯ３ 材料进行了Ｌａ 位替代，成功地制备了单相性好、具有扭曲钙钛矿结构和磁阻效应的Ｌａ１－ ｘ Ｓｒｘ Ｍ ｎＯ３ 材料。
6) magnetoresistive effect
磁阻效应
1.
Magnetoresistive effect of semiconducting diamond films;
半导体金刚石膜的磁阻效应
补充资料：霍耳效应
| 霍耳效应 Hall effect 通有电流的金属或半导体放置在与电流方向垂直的磁场中时，在垂直于电流和磁场方向上的两个侧面A、A′间产生电势差的现象（图1），1879年由E.H.霍耳首先发现。霍耳效应可用载流子受洛伦兹力作用来解释。如图2，当载流子带正电时，所受洛伦兹力f使正电荷向A面偏转，造成 A、A′两面上的电荷积累，从而形成电势差，在体内产生一横向电场E，称霍耳电场。若载流子带负电，则霍耳电场反向。当载流子所受的霍耳电场力与洛伦兹力达到平衡时，载流子不再偏转，霍耳电场具有恒定的值。霍耳电场E与电流密度j和磁感应强度B的乘积成正比，即 E＝RjB 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条
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