1) magnesium silicide
硅化镁
1.
For the production of silane from magnesium silicide, key techniques such as the recycling of ammonia and the control of impurities (e.
对硅化镁法生产硅烷的工艺过程中比较突出的几个问题如氨的回收,杂质水、氢和碳氢化合物等谈了自己的看法和处理意见。
2) magnesium silicon nitride
氮化硅镁
1.
The new route to preparation of magnesium silicon nitride (MgSiN2) powder by combustion synthesis in nitrogen gas with several different starting mixtures (Mg+Si, Mg2Si, Mg+Si3N4) was investigated.
研究了不同起始反应物体系(Mg+Si,Mg2Si和Mg+Si3N4)对氮气中燃烧合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的影响,结果显示,不同反应物体系的燃烧产物不同。
3) magnesium fluorosilicate
硅氟化镁
4) magnesium silicide method
硅化镁法
1.
The solid by-product is obtained by imitating the magnesium silicide method which is used to produce silane in industry.
以硅化镁、氯化铵与液氨为原料,模仿硅化镁法制备硅烷气体的工艺,获得反应生成的固体副产物。
5) magnesium silicide matrix
硅化镁基体
6) Silicon-steel Magnesium Oxide
硅钢氧化镁
补充资料：硅化镁晶体
分子式：Mg2Si
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅳ族元素化合物半导体，属立方晶系萤石型结合、共价键结合。禁带宽度0.77eV，电子和空穴有效质量分别为0.46m和0.87m(m为电子惯性质量)。电子和空穴迁移率分别为4×10-3和6×10-3m2/(V·s)。熔点1102℃。采用布里奇曼法制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅳ族元素化合物半导体，属立方晶系萤石型结合、共价键结合。禁带宽度0.77eV，电子和空穴有效质量分别为0.46m和0.87m(m为电子惯性质量)。电子和空穴迁移率分别为4×10-3和6×10-3m2/(V·s)。熔点1102℃。采用布里奇曼法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条