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1)  cubic boron nitride milling cutter
立方氮化硼铣刀
2)  PCBN Tools
立方氮化硼刀具
3)  composite cubic boron nitride turning tool
立方氮化硼复合车刀
4)  CBN
立方氮化硼
1.
Enhancing bonding strength between CBN grits and plating layer with surface activation technique;
用表面活化处理法提高立方氮化硼与镀层的结合性能
2.
Effect of assembly mode on CBN synthesis;
组装方式对立方氮化硼合成的影响
3.
Influencing factors of cBN single crystal synthesis;
影响立方氮化硼单晶合成效果的工艺探讨
5)  cubic boron nitride
立方氮化硼
1.
Current Status of Research on Synthesizing Cubic Boron Nitride at Lower Pressure;
立方氮化硼低压合成研究现状
2.
Phase transformation in process of deposition of cubic boron nitride thin films;
立方氮化硼薄膜沉积过程的相变研究
3.
Preparation of cubic boron nitride films by radio frequency sputtering;
用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜
6)  c-BN
立方氮化硼
1.
Influence of Substrate Temperature on Preparation of c-BN Thin Films with Wide Energy Gap;
衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响
2.
Cubic boron nitride (c-BN) nanocrystals have been synthesized by high-energy pulsed laser induced liquid-solid interfacial reaction.
 通过高能脉冲激光诱导丙酮 六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c BN)纳米晶体为直径约30~80nm的类球状晶体。
3.
A three-step technique has been developed to grow high quality cubic boron nitride(c-BN)fims by RF magnetron sputtering on p-tyoe Si(111)substrate.
用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜。
补充资料:立方氮化硼
      立方结构的氮化硼,分子式为BN,其晶体结构(图1)类似金刚石,硬度略低于金刚石,为HV72000~98000兆帕,常用作磨料和刀具材料。1957年,美国的R.H.温托夫首先研制成立方氮化硼。但至今尚未发现天然的立方氮化硼。
  
  立方氮化硼有单晶体和多晶烧结体两种。单晶体是把六方氮化硼和触媒在压力为3000~8000兆帕、温度为800~1900℃ 范围内制得。典型的触媒材料选自碱金属、碱土金属、锡、铅、锑和它们的氮化物。立方氮化硼的晶形有四面体的截锥、八面体、歪晶和双晶等(图2)。工业生产的立方氮化硼有黑色、琥珀色和表面镀金属的,颗粒尺寸通常在1毫米以下。它具有优于金刚石的热稳定性和对铁族金属的化学惰性,用以制造的磨具,适于加工既硬又韧的材料,如高速钢、工具钢、模具钢、轴承钢、镍和钴基合金、冷硬铸铁等。用立方氮化硼磨具磨削钢材时,大多可获得高的磨削比(见磨削原理)和加工表面质量。
  
  立方氮化硼多晶烧结体的主要制法有:①用立方氮化硼微粉和少量结合剂(如钴、铝、钛和氮化钛等),在压力4000~8000兆帕、温度为1300~1900℃下烧结而成;②以立方氮化硼微粉和结合剂为一层,以硬质合金(片或粉)为一层,在上述压力、温度下把两者烧结在一起,制得带硬质合金衬底的多晶烧结体,这种烧结体具有高的强度,同时保持立方氮化硼的原有理化性能,可制成直径达16毫米的圆片,切割加工成适当形状后,作为车刀和镗刀的刀头,适于切削淬火钢、铸铁和镍基合金等。
  

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