2) HgCdTe
碲镉汞
1.
Morphology Study on HgCdTe Film Grown of MOVEP;
气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究
2.
Study on the Composition and Homogeneity Control of HgCdTe Crystal;
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
3.
Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe;
激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响
3) Hg~(2+) and Cd~(2+) pollution
汞、镉污染
4) MCT
碲镉汞
1.
Magnetic-field Effect MCT Crystal Composition Distribution;
磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用
2.
The In Bump Growth on the Large Scale MCT IR Device;
新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
3.
Study low frequency noise of MCT MW photoconductive detectors by changing background radiation;
改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声
5) HgCdTe(MCT)
碲镉汞(MCT)
6) Mercury & Cadmium-free
无汞无镉
1.
Compared Mercury-free battery with Mercury & Cadmium-free battery of electrochemical characterization in initial and storage.
通过对无汞有镉电池和无汞无镉电池新电及贮存期内的电性能比较，分析了电池锌负极中以铟代镉实现电池无镉化的可行性。
补充资料：碲镉汞探测器材料
分子式：
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条