补充资料：浪涌抑制器

浪涌抑制器
surge eliminator

　　熄弧。由于充气放电管击穿时放电电压、电流突变可能冲击被保护的电路。因此在使用时，应将它安装在高阻抗箱人电路的前面，以避免电路中动态负阻抗冲击的影响。 如图l所示的三电极充气放电管，将两个电极连接到线路上，而第三个电极接地，这种器件不仅可以有效地克服共模瞬变过程.还能克服差模瞬变过程和不平衡共模瞬变过程。 金属氧化物变阻器(压敏电阻〕是含有氧化锌、铸、钻、锰等氧化物的电阻器，一般称作压敏电阻。金图l三电极充气放电管属氧化物变阻器的阻值呈现极强的非线性，其伏安特性可以用公式I二kU”(式中，k为常数，U为变阻器的端电压，指数”的范围为2~2.5，I为流过变阻器的电流)及图2表示。由图可见，正常情况下，流过变阻器的电流很小。当流过变阻器的电流增加时，变阻器的电阻迅速减小，结果是变阻器端电压的增加远远小于电流的增加，而达到限幅的目的。浪涌过后能自动恢复正常，响应时间为毫徽秒。变阻器的优点是:电压、电流额定值有较宽范围，通流容量大，伏安特性具有对称性，具有很好的限压性能和对称籍位特性。缺点是:极间电容较大，在正常时也从线路上吸收一些无功图2压敏电阻的伏安特性功率，特别是高颇时对线路的阻抗有影响，在射颇电路中影响信号传翰，需谨懊使用。变阻器与被保护电路之间的配线应尽可能短，以减小杂散电感，提高保护效果，流有浪涌放电回路的线应尽可能远离信号线，在70~85℃温度范围内使用变阻器时应降倾使用。变阻器上通过的浪涌能量超过允许值时有烧坏的可能，为防止短路引起的故障，可申接一熔断器一起使用。 硅雪崩抑制器一种具有雪崩效应的硅半导体二极管，它具有很快的响应时间(纳秒级)和很好的籍位功能(导通时具有低电压降)，可以有效地抑制线路感应的电磁脉冲。硅雪崩抑制器限于在较低的电压下使用，由于半导体允许通过的峰值电流比较小，所以一般都用在设备的内部电路。如将它与其它的保护器结合使用，可以有效抑制电磁脉冲.硅雪崩抑制器的吸收能力取决于其PN结的面积，峰值功率可达4o0w到500Ow，可用在5~300V的电路中。对较窄脉冲，其吸收功率峰值较大;对较宽脉冲.其吸收功率峰值较小;对重复的高颇过电压，有很好的抑制效果且有较好的籍位特性。 浪涌抑制器混合网络由两个以上的浪涌抑制器组成。用来增强抑制电压、电流的能力，改善对瞬变过程的响应和消除单一器件工作时可能伴有的有害特性。

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