1) pentode transistor
五极晶体管
2) pentode transistor
晶体五极管
3) pentode field-effect transistor
五极型场效应晶体管
4) transistor
[英][træn'zɪstə(r)] [美][træn'zɪstɚ]
晶体三极管
1.
Discussion on measurement of Boltzmann constant using transistor;
利用晶体三极管测玻尔兹曼常量实验方法的讨论
5) Bipolar transistors
双极晶体管
1.
The peudo heterojunction bipolar transistor(PHBT) is a homojunction bipolar transistorhaving a moderately doped emitter and a heavily doped base, providing a bandgap profile similar toactual heterojunction bipolar transistors (HBT).
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。
2.
The apparent bandgap narrowing in bipolar transistors with ion implanted and epitaxial Si 0.
这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG。
6) crystal diode
晶体二极管
1.
This paper analyzes the typical application and the versatile application of the crystal diode,and presents the method of versatile application of the crystal diode,which provides the efficient solution for the electronic engineering technical personnel to master the versatile application of the crystal diode.
本文通过对晶体二极管的典型应用和变通应用的分析,提出了晶体二极管的变通应用方法,为电子工程技术人员掌握晶体二极管的变通应用提供了一种有效解决途径。
2.
Electric current as analytic expression of the function of electric voltage can be derived from crystal diode as non linear resistance.
利用场论说推导出的非线性电阻特性普遍公式 ,对可作为非线性电阻的晶体二极管 ,推导出电流作为电压的函数解析式 。
补充资料：结型场效应晶体管
结型场效应晶体管
junction field effect transistor
妇exingchongx}OOying妇ngtjgUOn结型场效应晶体管(j unction field effecttransistor)利用半导体PN结反向偏置条件下的电场效应进行工作的场效应半导体器件。其特点是栅源间的电阻高，可以达到10?n以上，它是电压控制器件，所需控制电流极微，且受温度、辐射等外界条件影响小，广泛应用于放大电路和开关电路中，也可做为压控电阻使用。 结构和工作原理结型场效应晶体管的结构示意图如图1〔a)所示。在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用P+表示)，形成两个PN结。从两边P十型区引出两个欧姆接触电极并连在一起称为栅极g，在N型本体材料的两端各引出一个电极，分别称为源极S和漏极d。中间的N型区是载流子通过漏、源两极的通路，称为导电沟道。具有这种结构的结型场效应图IN沟道结型场 效应晶体管(a)结构示意图;(b)图形符号晶体管称为N沟道管，图1(b)是它的图形符号。还有一种与它对偶的结构形式称为P沟道管，它的图形符号，栅极箭头应向外。沟道的上下两侧与栅极分别形成PN结，改变加在PN结两端的反向偏置电压，就可以改变导电沟道的宽度，实现以改变栅源电压uGs来控制电流￡D的目的。uGs值越负，导电沟道越窄，当uGs加大到一定值时，导电沟道被夹断，坛、0，这时的uGs称为夹断电压:印。 特性曲线当。Ds一定时，uGs和场之间的关系称fD，nl产11〕55“Ds二常数为转移特性，见图2。在脚簇uGs簇0范围内，iD随uGs的增加(负值减少)近似按平方律上升，故有;_;卜_竺{ \祝P/uGs，V图2转移特性式中IDs。称为饱和漏极电流。这一特性常被用来作为混频调制和检波。转移特性上工作点的斜率，称为跨导gm，它是表征结型场效应晶体管放大能力的一个重要参数，单位为毫西(ms)。此外，尚有漏极特性(亦称输出特性)，它描述以uGS为参变量时，而和uDs之间的关系，见图3。飞从图中可见，管子的工作状态可以分成三个区:①可变电阻区。该区的特点是uDs较小，扬几乎与uDs成线性关系增”加。增加的比值由uGs控可变电阻区“cs之OV恒流区一ZV』卫一4V 夹断区为s，v图3漏极特性制。这时结型场效应晶体管的d、s之间可以看成一个由电压匆s控制的可变电阻。②恒流区(也称饱和区)。曲线近似水平的部分是恒流区，uDs较大。该区的特点是in的大小受uGs控制，而当uDs增大时，扬只略有增加，因而可以把iD近似看成为一个受uGS控制的电流源。③夹断区。当uGS
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