1) transistor source
晶体管源极
2) transistor
[英][træn'zɪstə(r)] [美][træn'zɪstɚ]
晶体三极管
1.
Discussion on measurement of Boltzmann constant using transistor;
利用晶体三极管测玻尔兹曼常量实验方法的讨论
3) Bipolar transistors
双极晶体管
1.
The peudo heterojunction bipolar transistor(PHBT) is a homojunction bipolar transistorhaving a moderately doped emitter and a heavily doped base, providing a bandgap profile similar toactual heterojunction bipolar transistors (HBT).
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。
2.
The apparent bandgap narrowing in bipolar transistors with ion implanted and epitaxial Si 0.
这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG。
4) crystal diode
晶体二极管
1.
This paper analyzes the typical application and the versatile application of the crystal diode,and presents the method of versatile application of the crystal diode,which provides the efficient solution for the electronic engineering technical personnel to master the versatile application of the crystal diode.
本文通过对晶体二极管的典型应用和变通应用的分析,提出了晶体二极管的变通应用方法,为电子工程技术人员掌握晶体二极管的变通应用提供了一种有效解决途径。
2.
Electric current as analytic expression of the function of electric voltage can be derived from crystal diode as non linear resistance.
利用场论说推导出的非线性电阻特性普遍公式 ,对可作为非线性电阻的晶体二极管 ,推导出电流作为电压的函数解析式 。
5) Bipolar transistor
双极晶体管
1.
A photocurrent compensation method of bipolar transistors under high dose rate radiation and its experimental research;
双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究
2.
The circuit is constructed by a operational amplifier and bipolar transistor current mirrors with multiple outputs.
该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。
3.
The main structure and key performance parameters of the bipolar transistor were studied and designed,it was taped out and tested.
对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。
补充资料：晶体三极管
| 晶体三极管 transistor 固态电子器件。由半导体材料制成的有源三端器件。是固态电子器件的一种。简称晶体管。1948年，美国J.巴丁、W.H.布喇顿和W.B.肖克莱发明了晶体三极管。次年，肖克莱提出PN结和面结型晶体管理论。此后随着半导体工艺技术不断成熟和发展，相继出现了不同结构的晶体三极管。晶体管按其内部导电机制分为双极型和场效应的两大类。双极型晶体管是一种电流控制器件，开关速度快，但输入阻抗低，功耗大。场效应晶体管是一种电压控制器件，输入阻抗高，功耗小，但开关速度较慢。晶体管几乎能完成电子管的所有功能，诸如放大、整流、振荡、开关等。同电子管相比，它具有体积小、重量轻、耗电少和高可靠等特点，广泛应用于各种电子电路中，是构成集成电路的基础元件。用于制作晶体管的半导体材料有锗、硅、砷化镓。硅晶体管平面工艺较成熟，常用于制造大规模和超大规模集成电路；砷化镓晶体管开关速度快，常用于制造超高速集成电路。锗晶体管发展较早，已不常用。
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参考词条