1) enhancement transistor
增强型晶体管
2) enhancement-type thin film transistor
增强型薄膜晶体管
4) enhancement mode field effect transistor
增强型场效晶体管
5) IEGT(lnjection enhanced gate transistor)
入增强栅晶体管
6) enhancement PHEMT
增强型赝配高电子迁移率晶体管
1.
5μm enhancement PHEMT technology.
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0·5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条