1) silicon insulation
硅尸绝缘
2) cast resin insulation
铸型尸绝缘
3) insulating silicone grease
绝缘硅脂
4) silicon on insulator
绝缘体上硅
1.
According to the results of finite-element analysis with ANSYS, a piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator (SOI) was designed.
根据有限元工具ANSYS的分析结果,设计了一种半导体压阻式压力传感器——绝缘体上硅(SOI)压力传感器,并完成了制作。
2.
With the help of finite element analysis tool, ANSYS, a high-temperature piezoresistive pressure sensor based on silicon on insulator was designed.
采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试。
5) SOI
绝缘体上硅
1.
Study on SOI Dynamic Threshold nMOSFETs;
绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究(英文)
2.
The SRAM cell is based on 32nm silicon-on-insulator(SOI)technology node.
该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管。
3.
Silicon ion implantations was used to improve SIMOX SOI substrate.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。
6) SOI
绝缘层上硅
1.
Based on the mechanisms that on-state resistance of SOI LIGBT is affected,the on-state resistance is divided and modeled mainly into three parts: the channel resistance,drift region resistance and buffer region resistance.
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。
2.
SOI (Silicon On Insulator) used for integrated circuit (IC) manufacturing has two advantages of increasing speed and reducing power consumption.
SOI(Silicon On Insulator，绝缘层上硅)硅片用于制造集成电路具有高速、低功耗、集成度高等优势。
3.
A Triplexer was fabricated based on SOI AWG for FTTH using.
本文采用绝缘层上硅(SOI)阵列波导光栅(AWG)结构制备了光纤到户用单纤三向器(Triplexer)。
补充资料：绝缘硅脂
分子式：
CAS号：
性质： 是用硅油稠化而成的膏状物。硅油的通式，R为CH3、C6H5。绝缘硅脂无毒、无味、闪点高、凝固点低、蒸气压低、黏温系数小，耐高低温、抗氧化、电绝缘性能好。可在-50～+200℃范围内长期工作。添加气相法白炭黑的绝缘硅脂性能如下：针入度(25℃)200～280 1/10mm，油离度(200℃×24h)≤10％，挥发分(200℃×24h)≤2.0％，介电强度≥9MV/m，相对介电常数(1MHz)2.5～3.5，介质损耗因数(1MHz)≤1×10-3，体积电阻率1.6×1014Ω·cm。可由硅油与气相法二氧化硅混配来制取。作为填充和绝缘包封料广泛用于电子电器工业。
CAS号：
性质： 是用硅油稠化而成的膏状物。硅油的通式，R为CH3、C6H5。绝缘硅脂无毒、无味、闪点高、凝固点低、蒸气压低、黏温系数小，耐高低温、抗氧化、电绝缘性能好。可在-50～+200℃范围内长期工作。添加气相法白炭黑的绝缘硅脂性能如下：针入度(25℃)200～280 1/10mm，油离度(200℃×24h)≤10％，挥发分(200℃×24h)≤2.0％，介电强度≥9MV/m，相对介电常数(1MHz)2.5～3.5，介质损耗因数(1MHz)≤1×10-3，体积电阻率1.6×1014Ω·cm。可由硅油与气相法二氧化硅混配来制取。作为填充和绝缘包封料广泛用于电子电器工业。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条