1) slice resistivity
晶片电阻率
2) wafer resistivity
薄片电阻率
4) high-resistivity silicon(HR-Si)
高电阻率硅片
5) frequency selective surface with resistance patch
电阻贴片频率选择表面
1.
Absorbing performance of frequency selective surface with resistance patch;
电阻贴片频率选择表面(FSSR)的吸波性能研究
6) grain resistance
晶粒电阻
1.
3%SiO_2 shows minimum breakdown voltage,maximum apparent electrical constant and minimum grain resistance.
3%SiO2配制的样品具有最低的压敏电压、最大的相对介电常数及最小的晶粒电阻。
2.
It was found that grain resistance increase first and then decrease accompanying Ta_2O_5 contents,increase.
研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0。
补充资料：直径6英寸硅单晶及单晶炉
直径6英寸硅单晶及单晶炉
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条