1) schottky gate metallization
肖特基栅金属化
4) dual gate MESFET
双栅金属-肖特基势垒场效应晶体管
补充资料:莫特-肖特基方程
分子式:
CAS号:
性质:该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系:式中ε为相对介电常数,εn为真空介电常数,N是施主(对n型半导体)或受主(对p型半导体)密度;E及Efb分别为电极电势及平带电势,均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程,对E作图应为一直线,即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb;从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
CAS号:
性质:该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系:式中ε为相对介电常数,εn为真空介电常数,N是施主(对n型半导体)或受主(对p型半导体)密度;E及Efb分别为电极电势及平带电势,均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程,对E作图应为一直线,即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb;从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条