1) refractory metal gate
耐熔金属栅
2) refractory metal gate
难熔金属栅
1.
The technique to improve the performance of W/TiN stacked gate MOS capacitor with 3nm gate oxide is reported by optimizing the sputtering process of a refractory metal gate electrode and adopting a proper anneal temperature to eliminate the damages.
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 。
3) refractory metal paste
耐熔金属膏
4) refractory metallization
耐熔金属化
5) refractory-metal
耐熔金属的
6) multilevel silicide
耐熔金属硅化物
补充资料：非金属难熔化合物
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：见难熔化合物。
分子量：
CAS号：
性质：见难熔化合物。
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参考词条