1) Czochralski crystal growth
提拉法晶体生长
1.
What this paper study including: (1) In the Czochralski crystal growth process, thermal radiation is one of the main method of heat transfer, the radiation transfer between surfaces takes the principle actor as the gas in the furnace has less affect in radiation process.
本文针对提拉法晶体生长全局特点,研究内容包括以下几个方面:(1)在提拉法晶体生长过程中,辐射换热将在热量传递过程中起主要作用,气体介质参与辐射传热作用很小,主要表现为表面之间的辐射换热。
2) crystal pulling method
晶体提拉法
3) Czochralski method
提拉法生长
1.
Cadmium gadolinium tungstate [CdGd_2(WO_4)_4,CGW] single crystal was grown by the Czochralski method.
采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd_2(WO_)_4,CGW]单晶。
4) hydrothermal crystal growth
水热法晶体生长
5) crystal growth from flux
熔盐法晶体生长
6) Crystal pulling
引上法晶体生长
补充资料：布里奇曼晶体生长法
分子式：
CAS号：
性质：又称布里奇曼晶体生长法。一种常用的晶体生长方法。用于晶体生长用的材料装在圆柱型的坩埚中,缓慢地下降,并通过一个具有一定温度梯度的加热炉,炉温控制在略高于材料的熔点附近。根据材料的性质加热器件可以选用电阻炉或高频炉。在通过加热区域时,坩埚中的材料被熔融,当坩埚持续下降时,坩埚底部的温度先下降到熔点以下,并开始结晶,晶体随坩埚下降而持续长大。这种方法常用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶。
CAS号：
性质：又称布里奇曼晶体生长法。一种常用的晶体生长方法。用于晶体生长用的材料装在圆柱型的坩埚中,缓慢地下降,并通过一个具有一定温度梯度的加热炉,炉温控制在略高于材料的熔点附近。根据材料的性质加热器件可以选用电阻炉或高频炉。在通过加热区域时,坩埚中的材料被熔融,当坩埚持续下降时,坩埚底部的温度先下降到熔点以下,并开始结晶,晶体随坩埚下降而持续长大。这种方法常用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条