1) peripheral circuit
周边集成电路
2) peripheral integrated driving circuit
集成周边驱动电路
3) IC
[ai'si:]
集成电路
1.
Black Adhesive for Soft Sealed Package of IC;
用于集成电路软封装黑胶的研制
2.
Selection of Tester for IC Used in Machine Tools;
数控机床集成电路测试仪的选择
3.
Modeling of IC Controllers for Switching Mode Power Supply in SIMPLIS Environment and Its Application;
SIMPLIS环境中开关电源集成电路控制器模型的开发及应用
4) integrate circuit
集成电路
1.
Analysis and simulation of joule heat effect of interconnect via in integrate circuit;
集成电路互连铝通孔焦耳热效应的分析与模拟仿真
2.
This paper surveys robotic wafer handling system for integrate circuit manufacturing,and reviews the operating principle and research results of the main components of the system,i.
介绍了面向集成电路制造业的硅片机器人传输系统,综述了其主要组成部分——硅片机器人和预对准装置——的工作原理及国内外研究成果。
3.
This article introduces the methods of checking integrate circuit module and single crystal transistor.
介绍了用万用表检测集成电路块和单结晶体管的方法。
5) integrated circuits
集成电路
1.
Post CMP cleaning technology in the fabrication of integrated circuits;
集成电路制备中化学机械全局平面化(CMP)后的表面清洗技术
2.
Test Generation for Integrated Circuits at Register Transfer Level;
集成电路寄存器传输级测试生成
3.
In order to study the EMP damage effects of integrated circuits exposed to EMP pulses with complex wave shape,several resistance and capacitance discharge networks were adopted in an ESD simulator to generate different ESD pulses.
为了研究复杂波形脉冲对集成电路的损伤效应,用改变ESD模拟器放电参数产生的不同的静电放电脉冲对某集成电路芯片进行了注入损伤效应实验。
6) integrated circuit
集成电路
1.
Design of integrated circuit positive sequence component and negative sequence component filter;
集成电路型正序分量和负序分量过滤器的设计
2.
Development of the automatic loader system for plastic package of integrated circuit;
集成电路塑封自动上料系统的研制
3.
Self-heating effects in integrated circuits with hot spot and electro-thermal coupling methods;
采用解耦法和热点法研究集成电路的自热效应
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条