1) low temperature coefficient resistor
低温度系数电阻器
2) NTC
负温度系数热敏电阻器
1.
Design of B Value Measuring Meter for NTC Transducer;
负温度系数热敏电阻器B值测量仪的设计
3) Positive temperature coefficient resistor(PTCR)
正温度系数电阻器
4) negative temperature coefficient resistor
负温度系数电阻器
5) silistor
硅电阻器(正温度系数的热敏电阻器)
6) TCR
电阻温度系数
1.
Study on the Resistivity and TCR of P-doped a-Si∶H Thin Films;
掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究
2.
Modulation of TCR for VO_2 Thin Film by Changing Preparation Parameters;
利用制备参数的改变调整VO_2薄膜的电阻温度系数
3.
Effect of Oleic-acid on TCR of La_0.7(Ca_0.53Sr_0.47)_0.3MnO_3 Polycrystals Prepared by Chemical Coprecipitation Method;
油酸对化学共沉淀法制备La_0.7(Ca_0.53Sr_0.47)_0.3MnO_3多晶的电阻温度系数的影响
补充资料：负温度系数热敏陶瓷电阻器
分子式：
CAS号：
性质：又称NTC热敏陶瓷。简称NTC。热敏半导体陶瓷中的一类。具有负温度系数特性的热敏陶瓷。其主要特点是电阻率随温度的升高而下降。按其工作温度分为五大类。(1)常温热敏半导体材料，如AB2O4尖晶石型氧化物半导体，包括CuO-MnO-O2系、NiO-MnO-O2系、MnO-CuO-CoO-O2系、MnO-CoO-NiO-O2系等。(2)高温热敏半导体材料。其工作温度在300℃以上。如Al-Mn-Ni-Co-O2系、Te-Al-Mn-O2系、ZrO2-CaO系、ZrO2-Y2O3系等。(3)低温热敏半导体材料。其工作温度在4～300K。如Mn，Cu，Ni，Fe，Co等两种以上过渡金属氧化物为主要成分形成的尖晶石结构复合氧化物，还常掺入镧、钕、镱等稀土氧化物。(4)临界负温热敏半导体材料(简称C.丁.R.)，如二氧化钒(VO2)为基的多晶半导体材料，在68℃附近，电阻值在狭小温区内随温度增加而降低3～4个数量级。(5)线性热敏半导体材料，如CdO-Sb2O3-WO3系。在-100～200℃工作温区内电阻值随温度呈线性关系。其主要制造工序为：坯料制备、生坯成型(有杆状、片状、管状、珠状等)、烧成、加电极、调整电阻值、敏化处理及老练等。它的灵敏度高、热惯性小、价格较低，广泛用于测温、控温、温度补偿、稳压、遥控、流量流速测量及时间延迟等器件、设备中。
CAS号：
性质：又称NTC热敏陶瓷。简称NTC。热敏半导体陶瓷中的一类。具有负温度系数特性的热敏陶瓷。其主要特点是电阻率随温度的升高而下降。按其工作温度分为五大类。(1)常温热敏半导体材料，如AB2O4尖晶石型氧化物半导体，包括CuO-MnO-O2系、NiO-MnO-O2系、MnO-CuO-CoO-O2系、MnO-CoO-NiO-O2系等。(2)高温热敏半导体材料。其工作温度在300℃以上。如Al-Mn-Ni-Co-O2系、Te-Al-Mn-O2系、ZrO2-CaO系、ZrO2-Y2O3系等。(3)低温热敏半导体材料。其工作温度在4～300K。如Mn，Cu，Ni，Fe，Co等两种以上过渡金属氧化物为主要成分形成的尖晶石结构复合氧化物，还常掺入镧、钕、镱等稀土氧化物。(4)临界负温热敏半导体材料(简称C.丁.R.)，如二氧化钒(VO2)为基的多晶半导体材料，在68℃附近，电阻值在狭小温区内随温度增加而降低3～4个数量级。(5)线性热敏半导体材料，如CdO-Sb2O3-WO3系。在-100～200℃工作温区内电阻值随温度呈线性关系。其主要制造工序为：坯料制备、生坯成型(有杆状、片状、管状、珠状等)、烧成、加电极、调整电阻值、敏化处理及老练等。它的灵敏度高、热惯性小、价格较低，广泛用于测温、控温、温度补偿、稳压、遥控、流量流速测量及时间延迟等器件、设备中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条