1) low dosage ion implantation
低剂量离子注入
2) ion dose
离子注入剂量
1.
Effect of the auxiliary electrode radius in a vacant circular pipe on ion dose in plasma source ion implantation;
附加电极半径对空心圆管端点附近离子注入剂量的影响
3) high dosage ion implantation
高剂量离子注入
4) low energy ion implanter
低能量离子注入机
5) low energy ion implantation
低能离子注入
1.
Modification of poly(pyrrolyl methine) thin film by low energy ion implantation;
低能离子注入对聚吡咯甲烯的改性
2.
Three methods are introduced including Tl + and Ir + doping, MBE growth of P +layer and B +, In + low energy ion implantation.
讨论了将PtSi红外探测器截止波长延长的理论基础 ,并介绍了采用在衬底掺入Tl+和Ir+,MBE生长P+层以及低能离子注入B+,In+来延长PtSi红外探测器截止波长的三种方
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
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参考词条