1) laminar deposition
层状淀积
2) illuvial layers of CaCO 3
CaCO_3淀积层
3) 2 illuvial layers
双层淀积
1.
On the basis of the materials in chemical analysis and investigating in field, 4 kinds of 2 illuvial layers have been asertained in this paper.
本文确定了黄土中古土壤有四种双层淀积类型。
5) B-horizon
B层;淀积层
6) atomic layer deposition
原子层淀积
1.
Preparing aluminum nitride thin film by atomic layer deposition
氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用
2.
Density functional theory was employed to investigate atomic layer deposition(ALD)mecha-nism of zirconia on Si(100)-2×1 surface with single and double hydroxyl groups.
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应。
3.
And atomic layer deposition(ALD) has become more and more popular due to its precise thickness control in film deposition.
而原子层淀积(ALD)工艺由于其精确的厚度控制,在high-k栅介质的集成工艺上受到了广泛关注。
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条