3) Impurity injection
杂质注入
5) ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
6) Ion-implantation
离子注入
1.
Substituting Epitaxy by Ion-implantation in the Production of Microphone Devices;
改用离子注入替代外延生产话筒管
2.
Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy;
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究
3.
Using single energy or overlapped energy ion-implantation technology,a modified layer was formed after C ions implanted into uranium.
利用离子注入技术,分别采用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层,并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)及表面相结构衍射谱(XRD)分析,利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。
补充资料：离子注入掺杂
分子式：
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条