1) hvtft
高压薄膜晶体管
2) TFT
薄膜晶体管
1.
A Novel Ultra-Thin Channel Poly-Si TFT Technology;
多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)
2.
Charge Sharing Effects of Grain Boundary in Polysilicon TFTs;
多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应
3.
An FAAS method for the determination of mass ratio of chemical composition in thin film transistors ( TFT ) of CdSe is proposed in this paper.
以特纯CdSe为标样 ,用火焰原子吸收法 (FAAS) ,分别测定CdSe薄膜晶体管 (TFT)中Cd与Se的含量及化学组成质量比 ,分别验证了CdSe粉末总量测定值 ,CdSe粉末化学组成质量比测定值 ,薄膜样品测定值的准确度 ,其相对误差分别为 0 4 2 %、-3 8%和 -0 5 %。
3) thin film transistor
薄膜晶体管
1.
The fabrication of thin film transistors with ZnO as active channel layer;
以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究
2.
This paper describes the historical background,the typical structure and actual application in AMLCDs of thin film transistor.
ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点。
3.
The paper analylizes the operation characteristics of this kind of transistor according to the test results of the fabricated a Au/CuPc/Al/CuPc/of structure organic thin film transistor with vertical conductive channel.
根据试制的Au/CuPc/A l/CuPc/Au结构的垂直导电沟道有机薄膜晶体管的测试结果,分析了该晶体管的工作机理。
4) thin film transistors
薄膜晶体管
1.
Thin Film Transistors Based on Oxide Semiconductors
基于氧化物半导体的薄膜晶体管
2.
Using the approach p type poly Si thin film transistors (TFTs) is fabricated with electron mobility of 103cm 2/(V·s) and ON/OFF current ratio of 10 6.
测量了相应薄膜晶体管的转移特性和输入输出特性 ,由此得出薄膜晶体管的迁移率为 1 0 3 cm2 /( V·s) ,ION/IOF F为 1 0 6 ,分别是传统单步晶化制备的薄膜晶体管的2 。
3.
Using this approach,poly-Si thin film transistors (TFTs) with electron mobility of 103 cm 2/V·s and on/off current ratio of 1×10 7 are prepared.
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开关态电流比为 1× 10 7。
5) thin-film transistor
薄膜晶体管
1.
The a-Si:H thin-film transistor (TFT) technology is mature and well suited to produce active matrix display devices in view of its low fabrication costs over large areas, good process uniformity and adequate switching speed, the option of a low-temperature process that allows the fabrication of TFTs and circuits on mechanically flexible substrates.
非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)作为一种成熟的电子器件,因其大面积制造成本低廉、工艺重复性良好、开关速度适当,非常适合于有源矩阵显示器件。
2.
In order to overcome the unsaturated output current of hydrogenated amorphous-silicon thin-film transistors(a-Si:H TFTs),the output characteristics of a-Si:H TFTs are numerically simulated by using the semiconductor device simulation software,and the generation mechanism of the unsaturated output current is discussed.
针对氢化非晶硅薄膜晶体管中的输出电流不饱和现象,采用半导体器件模拟软件对非晶硅薄膜晶体管的输出特性进行了数值仿真,并探讨了不饱和输出电流的产生机理。
6) Transparent thin-film transistor
透明薄膜晶体管
1.
A novel transparent thin-film transistor was fabricated by rf reactive magnetron sputtering,structure of which was that ITO glass was used as substrate,Al2O3 and AlN as insulator layers were deposited onto it successively,and then active layer ZnO film was deposited onto the Al2O3/AlN compound substrate,Al was used as source and drain electrodes.
采用射频反应磁控溅射的方法,以ITO(铟锡氧化物)玻璃为衬底,在Al2O3/AlN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜,并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极,通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响,得出以Al2O3/AlN为复合缓冲层薄膜晶体管,在400℃温度下退火处理后,ZnO有源层有较好的c-axis(002)择优取向,器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上,从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明。
补充资料：微波晶体管
在微波波段工作的晶体管。微波波段指频率在 300兆赫～300吉赫的电磁波谱。按功能分类,微波晶体管包括微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管。按结构分类，微波晶体管可分为双极型晶体管和场效应晶体管。
由于工作频率高，微波晶体管必须具有微米或亚微米的精细几何尺寸。随着薄层外延技术、浅结扩散或离子注入技术、投影曝光、远紫外曝光、X射线曝光、电子束曝光等微细加工技术的发展，微波晶体管的工作频率、功率和低噪声性能已得到提高。
微波低噪声晶体管 主要用于微波通信、卫星通信、雷达、电子对抗以及遥测、遥控系统中的接收机前置放大器。微波晶体管的噪声越低,接收机的灵敏度越高,这些系统的作用距离越大。
双极型晶体管的噪声来源有：热噪声、散弹噪声、分配噪声和1／f噪声（也称闪烁噪声）。场效应晶体管是多数载流子器件，故不存在少数载流子引起的散弹噪声和分配噪声，但存在一个肖特基栅感应噪声。
为了降低微波低噪声晶体管的噪声，对双极型晶体管来说，最重要的是减小基极电阻及各项串联电阻和接触电阻，减小寄生电容，减薄基区，减小少子的渡越时间等。对场效应晶体管来说，应尽可能降低源的串联电阻、接触电阻以及栅金属化电阻，尽量减小栅长（已达到亚微米量级），采用低温致冷技术等。
双极晶型体管和场效应晶体管的噪声来源不尽相同，但它们随频率和工作电流的变化规律是相似的。尽量降低白噪声和采用较小的工作电流，可以得到最佳效果。
硅双极型晶体管最高工作频率只达到8吉赫,而且在这一频率下噪声很大，无实用价值。一般只应用于 2吉赫以下，噪声系数为1～2分贝。
砷化镓场效应管的工作频率已达60吉赫。在工作频率1～12吉赫下,噪声系数仅0.5～1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。
微波功率晶体管 微波功率晶体管可在微波频率下可靠地输出几百毫瓦至几十瓦的射频功率。这就要求晶体管在微波频率下具有良好的功率增益和效率。高频率和大功率是矛盾的，故微波功率晶体管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率性能的主要途径有:①提高发射极的"周长／面积比"，以提高单位发射极周长的电流容量。②采用浅结高浓度扩散或离子注入，以得到小的基极电阻，又能减薄基区，从而缩短少子在基区的渡越时间，提高工作频率。③采用多发射极单元分散的结构，适当减薄外延层和衬底厚度，以减小热阻。器件的主要结构形式有梳状、覆盖式、网状及菱形等。④采用电迁徙小、能承受大电流密度、欧姆接触电阻小的多层难熔金属化系统（如铂钛铂金、钨钛金、铂钼金等）。⑤为了提高抗电压驻波比能力、防止二次击穿，通常在发射极串联一个镇流电阻。⑥微波功率晶体管的管壳既要散热性能好，又要频率性能好，因此通常采用对电绝缘、导热性能可与金属媲美的氧化铍陶瓷作管座，某些情况下，可采用内匹配技术，即在管壳内制一个MOS或MOM电容和键合内引线组成网路与管芯匹配，使得电流在发射极各区均匀分配，以提高功率输出，并在一定的频带内，得到最高的功率增益。⑦减小发射极引线电感量，是提高增益的关键之一。
砷化镓肖特基场效应管(GaAs MESFET) 是一种性能优良的微波功率晶体管，它的工作频率远远高于硅双极功率管。但砷化镓材料的热阻比硅大，因而功率容量比硅双极功率管小很多。双极晶体管可工作在微波频段的低端，而输出较大的功率（400兆赫下输出功率达100瓦，1吉赫下输出功率达50瓦,砷化镓场效应管则可工作在微波频段的高端，输出中等大小的功率6～8吉赫下输出功率为20～25瓦，12吉赫下输出功率为1～3瓦）。功率场效应晶体管是多子器件，不存在二次击穿和低温下电流增益下降的问题。它的工作温度范围很宽(一般为－55～125)，也可能在 77K下工作。最高结温为200。它的抗辐射能力比硅双极晶体管高两个数量级。
微波功率晶体管还有硅静电感应场效应管、硅VMOS和异质结（镓铝砷／砷化镓）双极晶体管等结构。
由于工作频率高，微波晶体管必须具有微米或亚微米的精细几何尺寸。随着薄层外延技术、浅结扩散或离子注入技术、投影曝光、远紫外曝光、X射线曝光、电子束曝光等微细加工技术的发展，微波晶体管的工作频率、功率和低噪声性能已得到提高。
微波低噪声晶体管 主要用于微波通信、卫星通信、雷达、电子对抗以及遥测、遥控系统中的接收机前置放大器。微波晶体管的噪声越低,接收机的灵敏度越高,这些系统的作用距离越大。
双极型晶体管的噪声来源有：热噪声、散弹噪声、分配噪声和1／f噪声（也称闪烁噪声）。场效应晶体管是多数载流子器件，故不存在少数载流子引起的散弹噪声和分配噪声，但存在一个肖特基栅感应噪声。
为了降低微波低噪声晶体管的噪声，对双极型晶体管来说，最重要的是减小基极电阻及各项串联电阻和接触电阻，减小寄生电容，减薄基区，减小少子的渡越时间等。对场效应晶体管来说，应尽可能降低源的串联电阻、接触电阻以及栅金属化电阻，尽量减小栅长（已达到亚微米量级），采用低温致冷技术等。
双极晶型体管和场效应晶体管的噪声来源不尽相同，但它们随频率和工作电流的变化规律是相似的。尽量降低白噪声和采用较小的工作电流，可以得到最佳效果。
硅双极型晶体管最高工作频率只达到8吉赫,而且在这一频率下噪声很大，无实用价值。一般只应用于 2吉赫以下，噪声系数为1～2分贝。
砷化镓场效应管的工作频率已达60吉赫。在工作频率1～12吉赫下,噪声系数仅0.5～1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。
微波功率晶体管 微波功率晶体管可在微波频率下可靠地输出几百毫瓦至几十瓦的射频功率。这就要求晶体管在微波频率下具有良好的功率增益和效率。高频率和大功率是矛盾的，故微波功率晶体管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率性能的主要途径有:①提高发射极的"周长／面积比"，以提高单位发射极周长的电流容量。②采用浅结高浓度扩散或离子注入，以得到小的基极电阻，又能减薄基区，从而缩短少子在基区的渡越时间，提高工作频率。③采用多发射极单元分散的结构，适当减薄外延层和衬底厚度，以减小热阻。器件的主要结构形式有梳状、覆盖式、网状及菱形等。④采用电迁徙小、能承受大电流密度、欧姆接触电阻小的多层难熔金属化系统（如铂钛铂金、钨钛金、铂钼金等）。⑤为了提高抗电压驻波比能力、防止二次击穿，通常在发射极串联一个镇流电阻。⑥微波功率晶体管的管壳既要散热性能好，又要频率性能好，因此通常采用对电绝缘、导热性能可与金属媲美的氧化铍陶瓷作管座，某些情况下，可采用内匹配技术，即在管壳内制一个MOS或MOM电容和键合内引线组成网路与管芯匹配，使得电流在发射极各区均匀分配，以提高功率输出，并在一定的频带内，得到最高的功率增益。⑦减小发射极引线电感量，是提高增益的关键之一。
砷化镓肖特基场效应管(GaAs MESFET) 是一种性能优良的微波功率晶体管，它的工作频率远远高于硅双极功率管。但砷化镓材料的热阻比硅大，因而功率容量比硅双极功率管小很多。双极晶体管可工作在微波频段的低端，而输出较大的功率（400兆赫下输出功率达100瓦，1吉赫下输出功率达50瓦,砷化镓场效应管则可工作在微波频段的高端，输出中等大小的功率6～8吉赫下输出功率为20～25瓦，12吉赫下输出功率为1～3瓦）。功率场效应晶体管是多子器件，不存在二次击穿和低温下电流增益下降的问题。它的工作温度范围很宽(一般为－55～125)，也可能在 77K下工作。最高结温为200。它的抗辐射能力比硅双极晶体管高两个数量级。
微波功率晶体管还有硅静电感应场效应管、硅VMOS和异质结（镓铝砷／砷化镓）双极晶体管等结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条