1) dopant gradient
掺杂梯度
2) Gradient doping
梯度掺杂
1.
For a molecular beam epitaxy grown,(100) wafer,Be doping and 1 μm thickness reflection-mode GaAs emission layer,a new-type gradient doping structure,in which from GaAs bulk to surface doping concentrations are distributed gradiently from 1×10~(19) cm~(-3) to 1×10~(18) cm~(-3),was designed.
对晶面为(100),掺杂Be,厚度为1μm分子束外延生长的反射式GaAs发射层,设计了一种从体内到表面掺杂浓度由高到低分布的新型梯度掺杂结构。
3) double graded doping
双梯度掺杂
4) stepwise gradient doping
阶变梯度掺杂
5) step doping profile
阶梯掺杂
1.
An analytical breakdown model for thin epitaxial RESURF device with step doping profile drift is presented in this paper.
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。
2.
An analytical breakdown model for thin drift region RESURF LDMOS with a step doping profile is presented.
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURFLDMOS耐压解析模型。
6) gradient doping functional thin film
梯度掺杂功能薄膜
1.
Based on the importance of gradient doping functional thin film to the industries,and the demand of improving the properties of kinds of new materials by doping,using one pulsed laser beam on two different targets alternately and getting the Mg/Ag doping thin film with the components proportion 0.
基于梯度掺杂功能薄膜材料在工业应用中的需要、通过金属掺杂对新材料改性研究的需要 ,用单束激光交替作用于两相异靶材 ,制备了Mg Ag组分比为 0 。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条