1) depth profile
沿深度掺杂分布图
2) dopant profile
掺杂分布图
3) vertical impurity profile
垂向掺杂分布图
4) doping depth
掺杂深度
5) doping concentration distribution
掺杂浓度分布
1.
In order to improve the forward conduction characteristics of silicon semiconductor devices, a comprehensive study of the influences of boron diffusion, phosphorous diffusion, doping concentration distribution in P~+-P region of sintered Al-Mo electrode and the minority carrier life on the forward conduction characteristics is performed.
为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究。
6) depth placement
杂质的沿深度布置
补充资料：浓度分布
在给定时刻的空间某区域内，浓度随位置的变化。这是对质量传递研究的主要问题之一，反应器及传质设备中通常存在着一定的浓度分布。质量传递仅以定态分子扩散方式进行时,浓度分布可通过斐克定律计算;质量传递以对流扩散方式进行时，须解出对流扩散方程。但常因速度分布难以得知,使浓度分布的计算发生困难,只能借助于实验。
浓度分布的表述方式及其应用，与温度分布、速度分布相似。
浓度分布的表述方式及其应用，与温度分布、速度分布相似。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条