1) carrier transfer device
载流转移器件
2) photogenerated earner transferring
光生载流子转移
3) carrier transfer filter
载波转移滤波器
4) charge coupled de-vices(CTD_s)
电荷转移器件(CTD_s)
5) ACT devices
声电荷转移器件
6) transferred-electron device
转移电子器件
1.
Based on the basic transit-time domain operation mode of TEDs,we first calculated the ideal maximum oscillation frequency of GaN-based transferred-electron devices(TEDs),which can be as high as 4.
基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4。
补充资料：光生载流子
分子式：
CAS号：
性质：用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光子能量的差异，会产生不同的光电效应。利用半导体材料的光电效应可制造光敏电阻器。
CAS号：
性质：用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光子能量的差异，会产生不同的光电效应。利用半导体材料的光电效应可制造光敏电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条