1) transferred electron device
电子转移器件
2) transferred-electron device
转移电子器件
1.
Based on the basic transit-time domain operation mode of TEDs,we first calculated the ideal maximum oscillation frequency of GaN-based transferred-electron devices(TEDs),which can be as high as 4.
基于GaN转移电子器件最基本的工作模式——畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4。
3) heterostructure intervalley transferred electron devices
异质谷间转移电子器件
4) charge coupled de-vices(CTD_s)
电荷转移器件(CTD_s)
5) ACT devices
声电荷转移器件
6) ctd
电荷转移器件
1.
It is deveoloped a new network for compensating frequency charcteristic of sensor——transversal filter based on CTD(Charge Transfer Devices).
以 Ｃ Ｔ Ｄ（ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ———电荷转移器件） 为核心，研制出一种新型的传感器频率特性补偿网络———横向滤波器。
补充资料：电子转移器件
| 电子转移器件 transferred electron device 基于Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的电子转移效应制成的实用性电子器件。1961～1962年，英国 B.K. 里德利等提出电子转移理论，1963 年 J.B.耿在研究半导体 GaAs 的特性时，观察到电流 - 电压特性的不规则振荡现象，其频率高达几千兆赫。经精密实验证实这现象就是上述的电子转移效应，因此电子转移器件又称为耿氏器件。不少化合物半导体中存在着多“ 能谷”能带结构 ，当外加电场增加到一定值时 ，电子能足够快地从低有效质量的主能谷转移到高有效质量的子能谷，且电子的速度随外加电场的增加而下降，即产生负微分电导，这就是电子转移效应。电子转移效应及其负微分电导可以产生微波振荡和放大，还可用以产生和处理高速脉冲信号，从而制成各种微波电子转移器件和高速逻辑电路。电子转移器件主要应用在微波遥感、通信卫星地面站和雷达等设备中。 |
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参考词条