1) beam-injected crossed-field amplifier
注入式正交场放大管
2) implantation
注入
1.
The aim of the work was to make the comparison of the effect of cerium ion implantation with that of niobium ion implantation by using a MEVVA source at the energy of 40 keV with a dose ranging from 1×1016 ions/cm2to 1×1017 ions/cm2 at the maximum temperature of 130℃.
利用MEVVA源对Zr-4合金分别进行1×1016ions/cm2至1×1017ions/cm2剂量的铈离子与铌离子注入,比较了Ce/Nb离子注入对Zr-4合金氧化行为的影响。
2.
An overview of the FIB direct write technique,applications in milling,implantation,and deposition is given.
概述了聚焦离子束直接写入、离子研磨、离子注入及离子沉积技术。
3.
The results show that the transient enhanced diffusion of B atoms is effectively limited by the post-implantation of high energy ions at high dose.
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对 5keVB离子预注入后的n -型单晶Si( 1 0 0 )进行了辐照 ,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化 。
3) injection
注入
1.
Influence of space charge effect on the axial injection of high intensity cyclotrons;
空间电荷效应对回旋加速器轴向注入的影响
2.
Numerical simulation is used to optimize the injection pattern of polymer enhanced foam flooding.
以胜利油田孤岛中二中油藏为研究对象,通过物理模拟试验,证明了聚合物强化泡沫驱比单一泡沫驱或聚合物驱具有明显的提高采收率优势;应用数值模拟,优化了聚合物强化泡沫驱的注入方式;现场单井试验结果表明,强化泡沫体系在三次采油领域具有较好的应用前景。
3.
Based on the classical molecular dynamics method and TLHT potential model,the injection processes of He atom into SWCNT with wall defects of different radius are studied.
采用经典分子动力学方法和TLHT势模型,研究了He注入不同管壁缺陷的单壁纳米碳管(SWNCT)的动力学过程,发现对应不同入射能量,He有4种典型的运动模式。
4) Implant
注入
1.
The SiO_2-Si Interfacial Structure Modification Introduced by Fe￣+ and H￣+ Ions Implantation;
Fe~＋和H~＋注入引起的Si／SiO_2界面重构现象
2.
Molecular dynamic simulations, utilizing the Tersoff many-body potential, are u sed to investigate the microscopic processes of a single boron atom with an ener gy of 500 eV implanted into the diamond (001) 2×1 reconstructed surface.
利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为 5 0 0eV的硼粒子注入金刚石的微观行为 。
5) Pellet injection
弹丸注入
1.
The pellet injection and the electron cyclotron resonance heating system have been involved in the China Torus Current Device No.
在中国环流器一号（ＨＬ－１）等离子体物理实验中，增加了弹丸注入和电子回旋共振加热系统。
6) ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
参考词条
补充资料：正交场放大管
靠电子在正交电磁场中运动并同微波场交换能量来放大信号的微波电子管。它是在磁控管基础上发展起来的另一类正交场器件。正交场放大管一般用于放大链式雷达发射机的末级，前级通常采用行波管。正交场放大管一般由电子枪、慢波电路（也称阳极）、底极、能量耦合器、收集极、磁路等部件组成（见图）。分布发射式器件不采用电子枪，底极即发射电子的阴极；重入式器件不设收集极，电子由阳极收集。
待放大的微波信号经由输入能量耦合器输入慢波电路。调整阳极电压和磁场量值，使电子平均漂移速度与慢波电路中传播的波的相速相等，即电子与波保持同步运动。与磁控管相似，电子在向阳极运动的过程中把直流位能交给微波电磁场，从而能在输出端得到放大的微波能量。
正交场放大管可以分为前向波放大管和返波放大管两大类。在前向波放大管中，波的相速方向（即电子运动方向）与群速方向（能量传输方向）一致。在返波管中，相速方向与群速方向相反。前向波放大管又可分为注入式和分布发射式两种。注入式前向波放大管的电子注是不重入的；分布发射式放大管又分电子注重入和电子注不重入两类。返波正交场放大管只有分布发射式的，其中有一类电子漂移区很短、电子相位重入的返波放大管，称为增幅管。
正交场放大管一般工作在脉冲状态，脉冲功率为几百瓦到几兆瓦 (增幅管可达5兆瓦)。注入式正交场放大管可以工作在连续波或脉冲状态（有的可工作在两种状态，称为双模正交场放大管），其连续波功率可达 1kW。同行波管相比，正交场放大管的效率较高（一般为40％，增幅管可达60％～70％）；与速调管相比，正交场放大管的频带较宽(一般为10％～15％)。正交场放大管还具有相位灵敏度高、增益平坦、结构紧凑、体积小、重量轻、工作电压低、附加电源简单等优点。正交场放大管的缺点是增益低、噪声大、线性动态范围小。它的增益一般只有10～20分贝，正在研制的阴极激励正交场放大管增益可达40分贝。
待放大的微波信号经由输入能量耦合器输入慢波电路。调整阳极电压和磁场量值，使电子平均漂移速度与慢波电路中传播的波的相速相等，即电子与波保持同步运动。与磁控管相似，电子在向阳极运动的过程中把直流位能交给微波电磁场，从而能在输出端得到放大的微波能量。
正交场放大管可以分为前向波放大管和返波放大管两大类。在前向波放大管中，波的相速方向（即电子运动方向）与群速方向（能量传输方向）一致。在返波管中，相速方向与群速方向相反。前向波放大管又可分为注入式和分布发射式两种。注入式前向波放大管的电子注是不重入的；分布发射式放大管又分电子注重入和电子注不重入两类。返波正交场放大管只有分布发射式的，其中有一类电子漂移区很短、电子相位重入的返波放大管，称为增幅管。
正交场放大管一般工作在脉冲状态，脉冲功率为几百瓦到几兆瓦 (增幅管可达5兆瓦)。注入式正交场放大管可以工作在连续波或脉冲状态（有的可工作在两种状态，称为双模正交场放大管），其连续波功率可达 1kW。同行波管相比，正交场放大管的效率较高（一般为40％，增幅管可达60％～70％）；与速调管相比，正交场放大管的频带较宽(一般为10％～15％)。正交场放大管还具有相位灵敏度高、增益平坦、结构紧凑、体积小、重量轻、工作电压低、附加电源简单等优点。正交场放大管的缺点是增益低、噪声大、线性动态范围小。它的增益一般只有10～20分贝，正在研制的阴极激励正交场放大管增益可达40分贝。
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