1) injectivity index
注入指数
2) implantation
注入
1.
The aim of the work was to make the comparison of the effect of cerium ion implantation with that of niobium ion implantation by using a MEVVA source at the energy of 40 keV with a dose ranging from 1×1016 ions/cm2to 1×1017 ions/cm2 at the maximum temperature of 130℃.
利用MEVVA源对Zr-4合金分别进行1×1016ions/cm2至1×1017ions/cm2剂量的铈离子与铌离子注入,比较了Ce/Nb离子注入对Zr-4合金氧化行为的影响。
2.
An overview of the FIB direct write technique,applications in milling,implantation,and deposition is given.
概述了聚焦离子束直接写入、离子研磨、离子注入及离子沉积技术。
3.
The results show that the transient enhanced diffusion of B atoms is effectively limited by the post-implantation of high energy ions at high dose.
室温下使用MeV能量级Si,F和O离子对 5keVB离子预注入后的n -型单晶Si( 1 0 0 )进行了辐照 ,应用二次离子质谱仪测试分析了掺杂物B原子的分布剖面及其变化 。
3) injection
注入
1.
Influence of space charge effect on the axial injection of high intensity cyclotrons;
空间电荷效应对回旋加速器轴向注入的影响
2.
Numerical simulation is used to optimize the injection pattern of polymer enhanced foam flooding.
以胜利油田孤岛中二中油藏为研究对象,通过物理模拟试验,证明了聚合物强化泡沫驱比单一泡沫驱或聚合物驱具有明显的提高采收率优势;应用数值模拟,优化了聚合物强化泡沫驱的注入方式;现场单井试验结果表明,强化泡沫体系在三次采油领域具有较好的应用前景。
3.
Based on the classical molecular dynamics method and TLHT potential model,the injection processes of He atom into SWCNT with wall defects of different radius are studied.
采用经典分子动力学方法和TLHT势模型,研究了He注入不同管壁缺陷的单壁纳米碳管(SWNCT)的动力学过程,发现对应不同入射能量,He有4种典型的运动模式。
4) Implant
注入
1.
The SiO_2-Si Interfacial Structure Modification Introduced by Fe￣+ and H￣+ Ions Implantation;
Fe~＋和H~＋注入引起的Si／SiO_2界面重构现象
2.
Molecular dynamic simulations, utilizing the Tersoff many-body potential, are u sed to investigate the microscopic processes of a single boron atom with an ener gy of 500 eV implanted into the diamond (001) 2×1 reconstructed surface.
利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为 5 0 0eV的硼粒子注入金刚石的微观行为 。
5) Pellet injection
弹丸注入
1.
The pellet injection and the electron cyclotron resonance heating system have been involved in the China Torus Current Device No.
在中国环流器一号（ＨＬ－１）等离子体物理实验中，增加了弹丸注入和电子回旋共振加热系统。
6) ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
参考词条
补充资料：迁移效率指数、偏好指数和差别指数
迁移效率指数、偏好指数和差别指数
迁移效率指数、偏好指数和差别指数迁移效率指数是用于测定两地间人口迁移效率的指标。它是净迁移对总迁移之比。计算公式为:EIM一摇寿纂拼又‘。。上式中，}人么夕一材方}为i、]两地净迁移人数;从少+材户为i、]两地总迁移人数;El入了为迁移效率指数。 EIM的取值范围为。至100，如某一地区的值越大，反映迁移的的影响也越大。如果计算i地区与其他一切地区之间的人口迁移效率指数EIM厂，则: }艺材。一芝Mj、}EIM汀艺。+乏M，(j笋i) 迁移偏好指数是从一个地区向另一地区的实际迁移人数与期望迁移人数之比。计算公式为:____M.___材尸2行一:一二子一一不石一二，么M“ 了厂‘.厂‘、八 }二不十二六二1 、厂厂7上式中，M“为从i地迁到j地的实际迁移量;艺材。为总的人口迁移量;尸为总人口;M尸I，j为迁移偏好指数。通过计算迁移偏好指数，可以反映各地区的相对引力。 迁移差别指数是反映具有某种特征的迁移人口与非迁移人口区别的指数。例如，专业技术人员的人数所占比重，各种文化程度人数所占比重等，以便研究人才流失和其他间题。计算公式为:M‘从IMD、一翌不丝xl。。 .义V‘ N上式中，M为迁移人数;M，为具有i特征的迁移人数;N为非迁移人数;N‘为具有i特征的非迁移人数;了八了D、为迁移差别指数。
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