1) grid-controlled mercury-arc rectifier
栅控汞弧整流器
2) Grid controlled
栅控
3) insulted gate control
绝缘栅控
4) gate-controlled technology
栅控技术
5) grid-contorl tube,gridded tube
栅控管
6) Grid-controlled electron gun
栅控电子枪
1.
The grid-controlled electron gun must have a good vibration-proof reliability because of the regulating action of current by grid and the designed structure between the grid and cathode.
栅控电子枪栅网与阴极间的精密设计结构和栅网对束流的调整作用决定其设计结构必须具有良好的抗振可靠性。
参考词条
栅控晶体管
栅控整流器
无截获栅控枪
双模栅控行波管
正向栅控二极管
MOS栅控晶闸管
脉冲栅控行波管
脉冲栅控振荡
栅控彩色显象管
栅控辉光放电管
栅控行波管调制器
电子枪栅控脉冲板
绝缘栅控双极晶体管
复合栅控二极管技术
新型精梳机
存量-流量模型
补充资料:硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))
硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))
简称可控硅。是一种三端四层晶体管,由pnpn四层半导体构成,它是一种可以控制的大功率半导体整流器。该器件内部有三个pn结。当可控硅加反向电压(阴极接正,阳极接负)时,结J1和J3处于反偏,只有很小的反向电流,器件处于反向阻断状态。当可控硅加正向电压且控制极不加电压时,结J1和J2处于正向偏置,而结J2为反向偏置,所以器件也只流过很小的正向电流。当正向电压上升到转折电压时,电流突然增加,器件由正向阻断突然转变为导通。导通后,正向特性和普通二极管正向特性相似。但在很大正向电压下使其击穿导通,实际上是不允许的。使用中是把正向触发电压加到控制极G上,使可控硅导通,正向转折电压降低。触发电流愈大,正向转折电压就愈低。触发导通是在极短时间内完成的,一般不超过几微秒。导通后,即使去掉G板上的触发电压,器件仍可维持导通,控制极不再起作用。通常触发电压1~5V,触发电流为几十至几百mA。可控硅导通后,正向压降一般为0.6~1.2V。SCR的额定正向电流从1A到几百A,反向额定电压可高达2kV以上,工作温度150°以下。SCR主要用于电力变换和控制,如可控整流、交流调压、逆变(直流→交流)、斩波调压(直流→可变直流)等。可以用微小的信号功率(100~200mA电流、2~3V电压)对大功率的电源(几百安电流、几千伏电压)进行控制和变换。SCR具有耐压高、容量大、效率高、控制灵敏等优点。缺点是过载能力和抗干扰能力料差,控制电路比较复杂。随着技术的发展,出现了双向可控硅、反向截止可控硅等派生元件,扩大了应用范围。可控硅又称晶体闸流管(简称晶闸管)。
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