1) indium monoiodide,indium monosulfide
一硫化二铟<冶>
2) indium monoiodide,indium monochloride
一碘化铟<冶>
3) indium monochloride
一氯化铟<冶>
4) indium monobromide
一溴化铟<冶>
5) indium diiodide
二碘化铟<冶>
6) indium dichloride
二氯化铟<冶>
补充资料：二硫化铟银晶体
分子式：AgInS2
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.581nm。为直接带隙半导体，室温时禁带宽度1.94eV，一般为n型材料，电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制备。为可见光发光材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.581nm。为直接带隙半导体，室温时禁带宽度1.94eV，一般为n型材料，电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制备。为可见光发光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条