1) subthreshold
[英]['sʌb'θreʃhəuld] [美][sʌb'θrɛʃ,old, -,hold]
亚阈(能)
2) Threshold energy
阈能
1.
The energy distribution of secondary spectrum was given approximately as a triangular shape or rectangular shape at the threshold energy for some nuclides.
在评价核数据库ENDF VI版的出射粒子能量分布数据(即文档5)中,一些核素在阈能附近的次级中子能量分布大多采用简单的近似方法描述,例如三角形分布或矩形分布。
2.
Frombur-dimensional momentum transfonnation，the relativistic expressions of avilable energyand threshold energy are derived，and the Konig theorem in relativistic form is put foeward.
本文利用动量中心系来讨论核反应问题，由四维动量的变换关系导出了相对论性的资用能和阈能的表达式，并提出了相对论形式的柯尼希定理。
3.
In nuclear physics, threshold energy is generally calculated by the method of coordinate transformation.
可使吸能核反应发生的入射粒子的最小动能称为阈能。
3) Doorsill energy
阈能
1.
If the doorsill energy is high , the cross section will be large .
用反证法证明光子与自由电子之间不能发生光电效应 ,从而说明了影响光电效应截面的因素 ,指出电子的束缚能越大 ,光电效应截面就越大 ,并指出阈能只具有统计意
4) sub-threshold
亚阈值
1.
To meet the even higher reguirements of new types of microelectronic products for voltage reference,a unit-circuit of low-voltage reference source based on sub-threshold MOS has been developed.
为了满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求,提出了一种基于亚阈值MOS的低电压基准源单元电路,该基准源单元电路采用TSMC0。
2.
In order to effectively decrease the power consumption of analog integrated circuits and improve the technology compatibility,a design method of low-voltage low-power consumption voltage reference with fully CMOS configuration is presented based on the MOS transistors in sub-threshold region.
该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。
3.
The design adopts MOS transistor working at sub-threshold region to enhance robust of circuit.
给出了一种应用于低温光敏探测器读出电路的可编程电流源,工作在液氮环境(77K),无外加单元,与一般电流源设计不同,本设计将部分MOS管设计在亚阈值区工作来提高电路工作稳定性。
5) sub-threshold region
亚阈值区
1.
It is based on the gate-source voltage of an NMOS operating in sub-threshold region and a PTAT voltage produced by the weighted difference of the gate source voltage of two different NMOSs.
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。
2.
When a MOSFET is working at the sub-threshold region,its IDS-VGScharacteristic is exponential.
文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
3.
The sub-threshold region was divided into a forward sub-threshold region and a reverse sub-threshold region.
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。
6) weak inversion
亚阈值
1.
Factors that affect the oscillator frequency precision,output wave form and noise are analyzed in detail,and a weak inversion current bias circuit without resistors is designed.
针对应用要求,设计了一个环形振荡器,分析了影响振荡频率精度、输出波形及噪声的因素,并设计了一个无电阻的亚阈值电流偏置电路。
补充资料：裂变阈能
分子式：
CAS号：
性质：能够引起复合核裂变反应的入射中子的最低能量，称为裂变阈能。当入射中子的能量低于这个阈值时，不能引起复合核发生裂变。
CAS号：
性质：能够引起复合核裂变反应的入射中子的最低能量，称为裂变阈能。当入射中子的能量低于这个阈值时，不能引起复合核发生裂变。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条