1) ferroelectric effect
铁电效应
2) FeFET
铁电场效应管
3) FEFETS device
铁电场效应器件
4) iron effect
铁的效应
5) FFET
铁电场效应晶体管
1.
A hyperbola model of I _D- V _Gcharacteristics of ferroelectric field-effect-transistors(FFETs) with Ag/Bi_4Ti_3O_ 12gate was brought forward,which is based on the theory of MOS device and the experimental data of the FFET.
在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟。
2.
Objective To investigate characteristics of p-channel field-effect-transistor(FFET) with Metal/ferroelectric/Metal/Insulator/Si substrates(MFMIS) structure.
目的研究金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能。
6) FFETs
铁电场效应晶体管
1.
Metal-ferroelectric-semiconductor field-effect-transistors (FFETs) with Ag/Bi_4Ti_3O_ 12 /p-Si gate were fabricated using the high quality Bi_4Ti_3O_ 12 on p-Si substrates prepared by Sol-Gel technique.
在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管。
补充资料：铁电陶瓷移峰效应
分子式：
CAS号：
性质：简称移峰效应。添加物与主晶相形成固溶体使铁电陶瓷的特性在居里温度处出现的峰值发生移动的现象，称为移峰效应。该添加物称为移峰剂。常用于钙钛矿型铁电体的移峰剂有下列三类：(1)锡酸盐：如锡酸钡BaSnO3、锡酸锶SrSnPO3、锡酸钙CaSnO3、锡酸锌ZnSnO3等；(2)钛酸盐：如：钛酸铅、钛酸锶等；(3)锆酸盐：如锆酸钡BaZrO3，锆酸锶SrZrO3等。利用移峰效应可将铁电陶瓷在居里温度处出现的介电常数的峰值移到室温附近，这有利于制造大容量，小体积的陶瓷电容器。也可利用移峰效应改善陶瓷材料的电容温度系数等。
CAS号：
性质：简称移峰效应。添加物与主晶相形成固溶体使铁电陶瓷的特性在居里温度处出现的峰值发生移动的现象，称为移峰效应。该添加物称为移峰剂。常用于钙钛矿型铁电体的移峰剂有下列三类：(1)锡酸盐：如锡酸钡BaSnO3、锡酸锶SrSnPO3、锡酸钙CaSnO3、锡酸锌ZnSnO3等；(2)钛酸盐：如：钛酸铅、钛酸锶等；(3)锆酸盐：如锆酸钡BaZrO3，锆酸锶SrZrO3等。利用移峰效应可将铁电陶瓷在居里温度处出现的介电常数的峰值移到室温附近，这有利于制造大容量，小体积的陶瓷电容器。也可利用移峰效应改善陶瓷材料的电容温度系数等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条