1) barrier-layer rectifier
势垒层整流器
2) Super barrier rectifier
超势垒整流器
3) rectifying barrier
整流势垒
4) Schottky barrier double rectifier
萧特基势垒双整流器
5) Schottky-barrier diode rectifier
肖特基势垒二极管整流器
6) barrier layer
势垒层
1.
This indicates the presence of the surface states on the surface of the barrier layer.
通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容 电压 (C V)特性 ,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究 。
2.
Efficient ZnS:Er alternating current thin film electroluminescent devices(ACTFELDs) have been fabricated based on the mechanism that the energy gain and excitation efficiency of charge carriers can be increased by means of barrier layer tunnelling along with the modification of the conventional structure.
对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD) ,根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益 ,提高激发效率的原理 ,通过改变常规ZnS :ErACTFELD的基本结构 ,研制出多阻挡层器件。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条