1) chromic arsenide
砷化铬
2) chromium arsenide
一砷化铬
3) arsenic-free glass melting
无砷化
4) Arsenide
砷化物
1.
Traditional copper surface roughening treatment involve the use of arsenide-containing electrolyte which is harmful to environment.
对铜箔表面进行粗化处理,传统的粗化工艺中要使用砷化物,不仅操作不便而且危害环境。
2.
The development course of low dimensional semiconductor materials and Ga-based nitride, arsenide semiconductor quantum dots are reviewed.
综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。
5) Gallium arsenide
砷化镓
1.
In this paper, polyferric silicate sulfate (PFSS) was prepared and arsenic-containing wastewater from gallium arsenide plant was flocculated by it.
用自制的无机高分子聚合硅酸铁(PFSS),对砷化镓生产中的含砷废水进行了混凝处理。
2.
Arsenic containing wastewater from gallium arsenide production was treated by coagulation process using self made polyferric metasilicate.
用自制的聚合硅酸铁 (PFSiC)对砷化镓生产中的含砷废水进行混凝处理。
3.
A great deal of wastewater was produced in the manufacturing of gallium arsenide wafers,and the main contamination was gallium arsenide particles in suspension.
砷化镓晶片生产过程中 ,产生大量废水 ,其中主要污染物是悬浮状态的砷化镓微粒。
6) Arsenic compounds
砷化合物
参考词条
补充资料：半绝缘砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。