1) defect absorption
缺陷吸收<光>
2) atomic defect absorption
原子缺陷吸收<光>
3) absorbing defect
吸收性缺陷
1.
The two different damage morphologies imply that absorbing defect is the inducement of the damage and the macroscopical reason for the improved laser damage threshold in R-on-1 test, is presented as the mechanic stability of absorbing defects.
两种典型损伤破坏形貌及其差异的研究说明吸收性缺陷是引起此样品损伤的主要诱因,预处理对吸收性缺陷的力学稳定作用是此样品抗激光损伤阈值提高的宏观原因。
4) Atomic Defect Absorption
原子缺陷吸收
5) shrinkage defect
收缩缺陷
1.
Solidification Simulation and Shrinkage Defect Prediction of S.G. Iron Casting in Sand Lined Metal Mold;
铁型覆砂球墨铸铁件凝固模拟及收缩缺陷预测
2.
Adopting optimizing design of risers, sound turbochargers were prepare d, and solidification process and shrinkage defects of turbocharger castings wer e analyzed.
本研究采用水冷铜坩埚真空感应凝壳技术和熔模型壳离心浇注的铸造方法制备γ-TiAl增压涡轮,通过改善冒口工艺获得了健全的γ-TiAl涡轮铸件,分析了γ-TiAl增压涡轮的凝固过程和收缩缺陷产生原因。
3.
Influence of the initial temperature fields and mold hardness on the shrinkage defect of ductile iron casting by EPC process was mainly investigated in this paper.
本文主要讨论了初始温度场和铸型硬度对消失模铸造球墨铸铁件收缩缺陷的影响。
6) Lacunar resorption
吸收陷窝
1.
The formation and activation of OC was detected by morphologic observation,histochemical staining for tartrate-resistant acid phosphatase(TRAP) and detection of lacunar resorption through scanning electron microscopy,respectively.
经形态学观察、抗酒石酸酸性磷酸酶(TRAP)染色计数、扫描电镜观察象牙片吸收陷窝研究钙、磷因子对大鼠破骨细胞生成和活化的影响。
补充资料：半导体中杂质和缺陷的红外吸收
半导体中杂质和缺陷的红外吸收
infrared absorption of impurities and defects in semiconductors
半导体中杂质和缺陷的红外吸收1 n fraredabsorPtion of imPurities and defeets in semieondue-tors研究和检测半导体材料中杂质和缺陷的一种方法。20世纪50年代初期，固体中杂质和缺陷的光谱研究就从理论和实验上发展起来。随着半导体技术的发展，研究半导体中杂质和缺陷行为已成为材料质量检验和半导体物理的一个重要部分。通过研究杂质和缺陷吸收光谱的特征参量(如吸收峰的频率、积分强度、半高宽和精细结构等)及其在各种外加条件下的变化，可以获得关于杂质和缺陷的电子状态和原子组态的信息。这些信息能揭示杂质和缺陷的本质，并提供较直接的证据。 测t原理和仪器光在均匀固体介质中传播时，光强按指数规律衰减。若不考虑样品的表面反射和多次内反射，一束入射强度为10的光，通过厚为d(cm)、吸收系数为a(cm一‘)的半导体样品，其出射光强为I。根据兰伯定律 I=Ioe一a己透过率为…I1=矛~一二e一 1。若考虑光线在样品表面的反射和在样品内部的多次内反射，则(1一R)Ze一“dl一R Ze一Zad式中R为反射系数。吸收系数a表征光吸收的强弱，对光子能量的依赖关系为吸收光谱。若d已知，测定T后即可求出a。 在测量过程中，当杂质吸收峰与晶格吸收峰不叠加时，可用无样品背景作参考光谱。若杂质吸收峰与晶格吸收峰叠加时，则可用不含杂质的样品作为参考样品，其厚度应与被测样品的厚度相同，以抵消叠加带、反射和散射的影响。吸收峰极大值处吸收系数通常采用基线法计算，即作吸收峰两侧的切线，求出在吸收峰极大值处从基线到吸收峰值的吸收系数、ax。 在测量杂质和缺陷的红外吸收时，为避免自由载流子吸收过大，样品应具有适当高的电阻率。而且，如果所观测的缺陷吸收峰与晶格声子吸收叠加时，应当限制样品的厚度，以便增加透射光强度，保证杂质和缺陷吸收峰的测量。通常，测量样品为双面抛光的平行板，厚度可为0.2一smm，样品的厚度视有无背景声子吸收和杂质吸收峰的吸收系数而定。 红外光谱测量一般在红外分光光度计上进行。这类仪器过去主要是色散型的棱镜或光栅光谱仪，近年，采用迈克尔逊干涉仪进行频率调制分光的傅里叶变换光谱仪亦被广泛使用。后一种仪器已用于半导体材料的杂质和缺陷的测量和研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条