1) vaporu deposited niobium tin tape
铌-锡气相沉积带
2) vaour-deposited niobium-tin tape
气相沉积法铌锡带
3) sedimentary facies belt
沉积相带
1.
Advantageous sedimentary facies belt of reservoir is predicted by applying newest frequency division .
给出了目前地震资料的适用条件;对已经成形的属性分析技术进行了改进并联合地震反演技术对储层进行了精细描述;应用最新的分频解释技术预测储层的优势沉积相带;同时发展了以地震波特征点理论为基础的储层预测方法,在实际应用中取得了较好的效果。
5) vapor deposition
气相沉积
1.
Fabricating ceramic hard thin films by vapor deposition techniques;
气相沉积技术制备TiN类硬质膜
2.
The fabrication of TiO_2 nanotubules in porous anodic aluminum template with vapor deposition;
利用气相沉积法在模板中制备TiO_2纳米管的研究
3.
Synthesis of monodisperse Cu nano-particle template by vapor deposition
气相沉积法制备单分散Cu纳米颗粒模板
6) vapor deposit
气相沉积
1.
Organic silicon were deposited on silicon surface by chemical vapor deposition(CVD).
通过化学气相沉积的方法,在具有规则微形貌的硅片表面沉积硅的有机物制备出了超疏水表面,进而对表面的润湿性进行了对比。
补充资料：扩散法铌三锡超导带材
扩散法铌三锡超导带材
superconductive tape of Nb_(3)Sn by diffusion
伙UOS0nfon一Sonx一Ch00dQO d01C0.扩散法妮三锡超导带材(supereonduetivetape of Nb3Sn by diffusion)A一25型化合物超导材料的一种。1965年秉兹(Benz)等人将妮带表面覆锡后，进行加热的扩散反应，从而在妮基体表面生成妮三锡超导薄层，再外覆铜层而得妮三锡扩散法超导带材。 用扩散法制备妮三锡超导带材的二艺技术经历过不断的发展与改进。最初，钥带在熔融的纯锡熔池中浸渍后进行热处理，这祥生成的妮三锡层凹凸不平，其中存在低临界温度(去)超导相-一NbsnZ、Nbosn:等。后来，把妮带连续通过涂锡区后，接着经过反应区，两区间的温度皆为95。一l000C，就能大盘地连续生产妮二锡超导带材，其Nh3Sn层也较均匀平整。进步的改进是发展了低温快速生成工艺，特别是在700C低温下进行扩散反应，方法是向熔融锡池中加入量为4。%的铜，这使得Nb3Sn的生成速率和单相比百分率提高，该单一的Nb3sn超导相带材的性能得以提高此外，在我国还采用成盘涂锡的妮带进行低温70()〔扩散热处理的独特技术，可大大提高生产率，其扩散生成Nb3Sn层的盘带，用FeCI、腐蚀后，可分开复绕成卷。、 扩散反应生成的妮三锡超导带材，长度可达干米以上，随后进行覆铜。其办法有二:(l)钎焊法将厚度为。.1一。.3mm的无氧铜钎焊在未与锐反应的残存的锡表面上。(2)电镀法。用通常的电镀法在反应带材表面镀上一层致密的铜层。 用扩散法制得的妮三锡超导带材，其转变为零电阻的7几为17一18K，临界电流密度(，大)一般为(1一2.6)又lo5A/emZ(4.ZK，loT)。为了改善扩散法Nb、Sn超导带的J。，在妮基体中添加二氧化错，使Nb3sn层的晶粒生成等轴形，并在Nb3sn晶体内渗进微细的二氧化错粒子，使磁通钉扎力提高，.1。增加(可达 4.5只lo5A/c mZ(4 .ZK，loT)或更高)。有关扩散法妮三锡带材的临界电流密度与外场强的关系曲线列于图中。 扩散法妮三锡超导带材在6。年代后期己能小批量生产，凤绕制成了中、小型高场超导磁体，场强为IOT(4.ZK)。l。疏一习 碱1、幼\\入l 、!、屯、、入l’份…一一到 H厅扩散法N玩Sn超导带材的J一11特性曲线 〔唐先德周农)
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参考词条